公开(公告)号：US20090173969A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：US12225580

申请日：2007-05-30

申请人： Junjiro Kikawa ,  Akira Suzuki ,  Masayoshi Kosaki ,  Koji Hirata

发明人： Junjiro Kikawa ,  Akira Suzuki ,  Masayoshi Kosaki ,  Koji Hirata

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

摘要： A semiconductor device having an AlGaN—GaN heterojunction structure including an AlGaN layer and a GaN layer which device exhibits no changes over time in sheet resistance.As shown in FIG. 1, in a semiconductor device having an AlGaN—GaN heterojunction structure including an AlGaN layer 1 and a GaN layer 2, when the Al molar fraction of AlGaN (x %) and the thickness of the AlGaN layer (y nm) satisfy the relations: x+y

摘要翻译： 具有包括AlGaN层和GaN层的AlGaN-GaN异质结结构的半导体器件，该器件在薄层电阻上随时间呈现不变化。 如图所示。 如图1所示，在具有包括AlGaN层1和GaN层2的AlGaN-GaN异质结结构的半导体器件中，当AlGaN的Al摩尔分数（x％）和AlGaN层的厚度（ynm）满足以下关系时： x + y <55，25 <= x <= 40，y> = 10，y小于临界厚度，从而在AlGaN层中不产生裂纹。 因此，本发明提供一种半导体器件，尽管Al摩尔分数高，实际上其表面电阻几乎没有随时间变化。