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公开(公告)号:US20140339504A1
公开(公告)日:2014-11-20
申请号:US14264017
申请日:2014-04-28
申请人: KYOUNGSUN KIM , WOOJIN KIM , WOO CHANG LIM
发明人: KYOUNGSUN KIM , WOOJIN KIM , WOO CHANG LIM
CPC分类号: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L43/08
摘要: A magnetic memory device and method of manufacturing the same are provided. The magnetic memory device can include a first vertical magnetic pattern on a substrate, a second vertical magnetic pattern on the first vertical magnetic pattern, and a tunnel barrier pattern disposed between the first vertical magnetic pattern and the second vertical magnetic pattern. The first vertical magnetic pattern can include a first pattern on the substrate, a second pattern on the first pattern, and an exchange coupling pattern between the first pattern and the second pattern. The first pattern can comprise an amorphous magnetic substance and a component comprising at least one of platinum, palladium, and nickel.
摘要翻译: 提供一种磁存储器件及其制造方法。 磁存储器件可以包括衬底上的第一垂直磁图案,第一垂直磁图案上的第二垂直磁图案,以及设置在第一垂直磁图案和第二垂直磁图案之间的隧道势垒图案。 第一垂直磁图案可以包括基板上的第一图案,第一图案上的第二图案,以及第一图案和第二图案之间的交换耦合图案。 第一图案可以包括非晶磁性物质和包含铂,钯和镍中的至少一种的成分。