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    MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    6.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    磁记忆体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20140339504A1

    公开(公告)日：2014-11-20

    申请号：US14264017

    申请日：2014-04-28

    申请人： KYOUNGSUN KIM ,  WOOJIN KIM ,  WOO CHANG LIM

    发明人： KYOUNGSUN KIM ,  WOOJIN KIM ,  WOO CHANG LIM

    IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/02

    CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

    摘要： A magnetic memory device and method of manufacturing the same are provided. The magnetic memory device can include a first vertical magnetic pattern on a substrate, a second vertical magnetic pattern on the first vertical magnetic pattern, and a tunnel barrier pattern disposed between the first vertical magnetic pattern and the second vertical magnetic pattern. The first vertical magnetic pattern can include a first pattern on the substrate, a second pattern on the first pattern, and an exchange coupling pattern between the first pattern and the second pattern. The first pattern can comprise an amorphous magnetic substance and a component comprising at least one of platinum, palladium, and nickel.

    摘要翻译： 提供一种磁存储器件及其制造方法。 磁存储器件可以包括衬底上的第一垂直磁图案，第一垂直磁图案上的第二垂直磁图案，以及设置在第一垂直磁图案和第二垂直磁图案之间的隧道势垒图案。 第一垂直磁图案可以包括基板上的第一图案，第一图案上的第二图案，以及第一图案和第二图案之间的交换耦合图案。 第一图案可以包括非晶磁性物质和包含铂，钯和镍中的至少一种的成分。

    Magnetic memory layer and magnetic memory device including the same
    7.
    发明授权
    Magnetic memory layer and magnetic memory device including the same 有权
    磁存储层和包括其的磁存储器件

    公开(公告)号：US08803265B2

    公开(公告)日：2014-08-12

    申请号：US13170870

    申请日：2011-06-28

    申请人： Woo-chang Lim ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

    发明人： Woo-chang Lim ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetic memory layer and a magnetic memory device including the same, the magnetic memory layer including a first seed layer; a second seed layer on the first seed layer, the second seed layer grown according to a crystal direction with respect to a surface of the first seed layer; and a main magnetic layer on the second seed layer, the main magnetic layer grown according to the crystal direction with respect to a surface of the second seed layer.

    摘要翻译： 磁存储层和包括该磁存储器的磁存储器件，所述磁存储层包括第一晶种层; 在所述第一种子层上的第二种子层，所述第二种子层相对于所述第一种子层的表面根据晶体方向生长; 以及在所述第二种子层上的主磁性层，所述主磁性层相对于所述第二晶种层的表面根据所述晶体方向生长。

    Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same
    8.
    发明授权
    Method for crystallizing amorphous silicon thin film and method for fabricating poly crystalline thin film transistor using the same 失效
    用于使非晶硅薄膜结晶的方法和使用其制造多晶薄膜晶体管的方法

    公开(公告)号：US08716112B2

    公开(公告)日：2014-05-06

    申请号：US13630148

    申请日：2012-10-16

    申请人： Seung Ki Joo ,  Chang Woo Byun ,  Se Wan Son ,  Yong Woo Lee ,  Hyun Mo Kang ,  Seol Ah Park ,  Woo Chang Lim ,  Tao Li ,  Seung Jae Yun ,  Sang Joo Lee

    发明人： Seung Ki Joo ,  Chang Woo Byun ,  Se Wan Son ,  Yong Woo Lee ,  Hyun Mo Kang ,  Seol Ah Park ,  Woo Chang Lim ,  Tao Li ,  Seung Jae Yun ,  Sang Joo Lee

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/66757

    摘要： Provided is a method of crystallizing an amorphous silicon thin film transistor and a method of fabricating a polycrystalline thin film transistor using the same, in which the polycrystalline thin film transistor indicating leakage current characteristics of a level that is applicable for active matrix organic light emitting diode displays (AMOLEDs) can be manufactured by using a silicide seed induced lateral crystallization (SILC) method. The amorphous silicon thin film transistor crystallizing method includes the steps of: forming an amorphous silicon layer on a substrate; forming an active region by patterning the amorphous silicon layer; forming a crystallization induced metal layer in both a source region and a drain region that are placed on both side ends of the active region; forming a number of dot-shaped metal silicide seeds on the surfaces of the source region and the drain region made of amorphous silicon by removing the crystallization induced metal layer; and crystallizing the active region formed of the amorphous silicon layer by heat-treating the substrate by using the metal silicide seeds as crystallization seeds.

    摘要翻译： 提供了一种使非晶硅薄膜晶体管结晶的方法和使用其制造多晶薄膜晶体管的方法，其中指示可用于有源矩阵有机发光二极管的电平的漏电流特性的多晶薄膜晶体管 可以通过使用硅化物种子诱导横向结晶（SILC）方法来制造显示器（AMOLED）。 非晶硅薄膜晶体管结晶方法包括以下步骤：在基板上形成非晶硅层; 通过图案化所述非晶硅层形成有源区; 在放置在有源区的两侧端的源区和漏区中形成结晶诱导金属层; 通过除去结晶诱导的金属层，在源极区和由非晶硅制成的漏极区域的表面上形成多个点状金属硅化物晶种; 并且通过使用金属硅化物种子作为结晶种子对基底进行热处理，使由非晶硅层形成的活性区域结晶。

    MAGNETIC MEMORY DEVICES
    9.
    发明申请
    MAGNETIC MEMORY DEVICES 有权
    磁记忆装置

    公开(公告)号：US20140061828A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：US13967340

    申请日：2013-08-14

    申请人： WOO CHANG LIM ,  SANGYONG KIM ,  Whankyun KIM ,  SANG HWAN PARK ,  JEONGHEON PARK

    发明人： WOO CHANG LIM ,  SANGYONG KIM ,  Whankyun KIM ,  SANG HWAN PARK ,  JEONGHEON PARK

    IPC分类号： H01L43/08

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659

    摘要： A magnetic memory device according to embodiments includes a first reference magnetic layer on a substrate, a second reference magnetic layer on the first reference magnetic layer, a free layer between the first reference magnetic layer and the second reference magnetic layer, a first tunnel barrier layer between the first reference magnetic layer and the free layer, and a second tunnel barrier layer between the second reference magnetic layer and the free layer. The first reference magnetic, second reference magnetic and free layers each have a magnetization direction substantially perpendicular to a top surface of the substrate. A resistance-area product (RA) value of the first tunnel barrier layer is greater than that of the second tunnel barrier layer.

    摘要翻译： 根据实施例的磁存储器件包括衬底上的第一参考磁性层，第一参考磁性层上的第二参考磁性层，第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层，第一隧道势垒层 在第一参考磁性层和自由层之间，以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。 第一参考磁性，第二参考磁性和自由层各自具有基本上垂直于衬底顶表面的磁化方向。 第一隧道势垒层的电阻面积乘积（RA）值大于第二隧道势垒层的电阻面积积（RA）值。