公开(公告)号：US5603988A

公开(公告)日：1997-02-18

申请号：US459500

申请日：1995-06-02

申请人： Michael Shapiro ,  Ravi Kanjolia ,  Ben C. Hui ,  Paul F. Seidler ,  Karen Holloway ,  Richard Conti ,  Jonathan Chapple-Sokol

发明人： Michael Shapiro ,  Ravi Kanjolia ,  Ben C. Hui ,  Paul F. Seidler ,  Karen Holloway ,  Richard Conti ,  Jonathan Chapple-Sokol

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/42

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/34

摘要： Titanium and/or tantalum nitrides or nitride silicides are deposited onto a substrate by chemical vapor deposition of a titanium and/or tantalum silylamido complex.

摘要翻译： 钛和/或钽氮化物或氮化硅硅化物通过化学气相沉积钛和/或钽硅烷酰氨基复合物沉积到基底上。

公开(公告)号：USD502758S1

公开(公告)日：2005-03-08

申请号：US29181699

申请日：2003-05-14

申请人： Noel Gomez ,  Karen Holloway

设计人： Noel Gomez ,  Karen Holloway