公开(公告)号：US07910509B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US11993722

申请日：2005-06-24

申请人： Tomoyuki Tada ,  Kazuhiro Nishikawa ,  Kazuya Toji ,  Kazuhiro Kura ,  Takeshi Shimada

发明人： Tomoyuki Tada ,  Kazuhiro Nishikawa ,  Kazuya Toji ,  Kazuhiro Kura ,  Takeshi Shimada

IPC分类号： C04B35/465

CPC分类号： H01B3/12 ,  C01G23/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/465 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80

摘要： The invention intends to provide a dielectric porcelain composition for use in electronic devices, in which the relative dielectric constant ∈r is high, the Qf value is high and, the temperature coefficient τf can be controlled while maintaining the temperature coefficient τf at the resonant frequency small and the Qf value high. According to the invention, when, in an LnAlO3—CaTiO3-based dielectric porcelain composition, a molar ratio of LnAlO3 and CaTiO3 is optimized and Al is substituted by a slight amount of Ga, a structure that has an LnAlO3—CaTiO3 solid solution as a main phase and a solid solution of Al—Ga-based oxide as a secondary phase and does not substantially contain α-Al2O3 in the structure can be obtained, and the temperature coefficient τf can be controlled while maintaining the temperature coefficient τf at the resonant frequency small and the Qf value high.

摘要翻译： 本发明提供一种用于电子器件的电介质瓷组合物，其中相对介电常数εr高，Qf值高，并且可以在保持谐振频率下的温度系数τf的同时控制温度系数τf 小，Qf值高。 根据本发明，当在基于LnAlO3-CaTiO3的电介质瓷组合物中，LnAlO 3和CaTiO 3的摩尔比被优化并且Al被少量的Ga取代时，具有LnAlO 3 -TiTiO 3固溶体作为 主相和作为第二相的Al-Ga类氧化物的固溶体，并且在该结构中基本上不含有α-Al 2 O 3，并且可以在将温度系数τf保持在谐振频率的同时控制温度系数τf 小，Qf值高。

公开(公告)号：US20100167908A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US11993722

申请日：2005-06-24

申请人： Tomoyuki Tada ,  Kazuhiro Nishikawa ,  Kazuya Toji ,  Kazuhiro Kura ,  Takeshi Shimada

发明人： Tomoyuki Tada ,  Kazuhiro Nishikawa ,  Kazuya Toji ,  Kazuhiro Kura ,  Takeshi Shimada

IPC分类号： C04B35/465

CPC分类号： H01B3/12 ,  C01G23/002 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/465 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80

摘要： The invention intends to provide a dielectric porcelain composition for use in electronic devices, in which the relative dielectric constant εr is high, the Qf value is high and, the temperature coefficient τf can be controlled while maintaining the temperature coefficient τf at the resonant frequency small and the Qf value high. According to the invention, when, in an LnAlO3—CaTiO3-based dielectric porcelain composition, a molar ratio of LnAlO3 and CaTiO2 is optimized and Al is substituted by a slight amount of Ga, a structure that has an LnAlO3—CaTiO3 solid solution as a main phase and a solid solution of Al—Ga-based oxide as a secondary phase and does not substantially contain α-Al2O3 in the structure can be obtained, and the temperature coefficient τf can be controlled while maintaining the temperature coefficient τf at the resonant frequency small and the Qf value high.

摘要翻译： 本发明提供一种用于电子器件的电介质瓷组合物，其中相对介电常数ε高，Qf值高，并且可以控制温度系数τf，同时保持谐振时的温度系数τf 频率小，Qf值高。 根据本发明，当在基于LnAlO3-CaTiO3的电介质瓷组合物中，优化LnAlO 3和CaTiO 2的摩尔比并且Al被少量的Ga取代时，具有LnAlO 3 -CaTiO 3固溶体作为 主相和作为第二相的Al-Ga类氧化物的固溶体，并且在该结构中基本上不含有α-Al 2 O 3，并且可以在将温度系数τf保持在谐振频率的同时控制温度系数τf 小，Qf值高。

公开(公告)号：US07648935B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US11993700

申请日：2005-06-24

申请人： Takeshi Shimada ,  Kazuhiro Kura

发明人： Takeshi Shimada ,  Kazuhiro Kura

IPC分类号： C04B35/47

CPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/44 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/94

摘要： The invention intends to provide a dielectric porcelain composition for use in electronic devices, which has the dielectric characteristics such that the Qf value is high, the temperature coefficient τf of a resonant frequency is small and a value thereof can be controlled in a wide range in positive and negative directions in the vicinity where the relative dielectric constant ∈r is 39. According to the invention, when, in La—Pr—Al—Ga—Sr—Ti-based oxide dielectric porcelain, contents of the respective elements are limited to be within particular ranges and Sr is partially substituted by Ca, a structure having a (1-x)(La1-yLny)(Al1-zGaz)O3-x(Sr1-mCam)TiO3 solid solution as a main phase, in which a solid solution of Al—Ga—Sr-based oxide and/or a solid solution of Al—Ga-based oxide and a Sr oxide is/are precipitated in a grain boundary thereof, can be obtained, whereby the above-mentioned object can be achieved.

摘要翻译： 本发明旨在提供一种用于电子器件的电介质瓷组合物，其具有使Qf值高的介电特性，谐振频率的温度系数τf小，其值可以在宽范围内被控制 根据本发明，当在La-Pr-Al-Ga-Sr-Ti系氧化物介电瓷中，各元素的含量限于 在一定范围内，Sr部分被Ca取代，Ca是具有（1-x）（La1-yLny）（Al1-zGaz）O3-x（Sr1-mCam）TiO3固溶体作为主相的结构，其中a 可以获得Al-Ga-Sr系氧化物和/或Al-Ga系氧化物和Sr氧化物的固溶体在其晶界析出的固溶体，由此上述目的可以是 实现了

公开(公告)号：US20080227622A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US11993700

申请日：2005-06-24

申请人： Takeshi Shimada ,  Kazuhiro Kura

发明人： Takeshi Shimada ,  Kazuhiro Kura

IPC分类号： C04B35/47

CPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/44 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/94

摘要： The invention intends to provide a dielectric porcelain composition for use in electronic devices, which has the dielectric characteristics such that the Qf value is high, the temperature coefficient τf of a resonant frequency is small and a value thereof can be controlled in a wide range in positive and negative directions in the vicinity where the relative dielectric constant εr is 39. According to the invention, when, in La—Pr—Al—Ga—Sr—Ti-based oxide dielectric porcelain, contents of the respective elements are limited to be within particular ranges and Sr is partially substituted by Ca, a structure having a (1-x)(La1-yLny)(Al1-zGaz)O3-x(Sr1-mCam)TiO3 solid solution as a main phase, in which a solid solution of Al—Ga—Sr-based oxide and/or a solid solution of Al—Ga-based oxide and a Sr oxide is/are precipitated in a grain boundary thereof, can be obtained, whereby the above-mentioned object can be achieved.

摘要翻译： 本发明旨在提供一种用于电子器件的电介质瓷组合物，其具有使Qf值高的介电特性，谐振频率的温度系数τf小，其值可以在宽范围内被控制 在相对介电常数ε为39附近的正方向和负方向。根据本发明，当在La-Pr-Al-Ga-Sr-Ti系氧化物介电瓷中，各元素的含量被限制为 在特定范围内，并且Sr部分地被Ca取代，具有（1-x）（La 1-y L n Y y）（Al 1-z） Ga O O O O x x）））））））））））））））））））））））））））））））））））））））））））））） 其中Al-Ga-Sr基氧化物和/或Al-Ga类氧化物和Sr氧化物的固溶体的固溶体沉淀在 可以得到其晶界，由此得到上述物体 可以实现。

公开(公告)号：US06734126B2

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：US10168689

申请日：2002-07-25

申请人： Shugo Ohtsuki ,  Takeshi Shimada ,  Kazuhiro Nishikawa ,  Kazuya Toji ,  Kazuhiro Kura

发明人： Shugo Ohtsuki ,  Takeshi Shimada ,  Kazuhiro Nishikawa ,  Kazuya Toji ,  Kazuhiro Kura

IPC分类号： C04B3547

CPC分类号： C04B35/47 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/80

摘要： A dielectric ceramic composition for microwave use having a relative permittivity &egr;r of 35 to 45, Qf0 value of more than 50,000 GHz (at 7 GHz), and dielectric characteristic of &tgr;f=0±10 ppm/° C includes an La2O3.Al2O3.SrO.TiO2 based ceramic composition and a specific quantity of Ga2O3 to increase the Qf0 value and a specific amount of Pr2O3to control the &tgr;f value.

摘要翻译： 包括相对介电常数ε为35至45，Qf0值大于50,000GHz（7GHz）的介电陶瓷组合物和tauf = 0±10ppm /℃的介电特性包括La 2 O 3·Al 2 O 3·S .TiO2基陶瓷组合物和一定量的Ga2O3以增加Qf0值和一定量的Pr2O3来控制tau值。