公开(公告)号：US5358891A

公开(公告)日：1994-10-25

申请号：US084795

申请日：1993-06-29

申请人： Chi-Hwa Tsang ,  Kerry L. Spurgin ,  Deborah A. Parsons ,  William L. Hargrove ,  Ganesan Radhakrishnan

发明人： Chi-Hwa Tsang ,  Kerry L. Spurgin ,  Deborah A. Parsons ,  William L. Hargrove ,  Ganesan Radhakrishnan

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/763 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/763 ,  H01L21/76205 ,  Y10S148/05

摘要： A method of forming and refilling a trench in a substrate. First a trench is formed in the substrate. The trench is then refilled with a conformal material. Next, a recess is etched into the top portion of the refilled trench. The recess is then refilled with a second material until the refilled recess and substrate are substantially planar.

摘要翻译： 一种在衬底中形成和重新填充沟槽的方法。 首先在衬底中形成沟槽。 然后用保形材料重新填充沟槽。 接下来，凹陷被蚀刻到重新填充的沟槽的顶部。 然后用第二材料重新填充凹槽，直到再填充的凹槽和基底基本上是平面的。

公开(公告)号：US6118168A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US997247

申请日：1997-12-23

申请人： Peter K. Moon ,  David T. Krick ,  Kerry L. Spurgin

发明人： Peter K. Moon ,  David T. Krick ,  Kerry L. Spurgin

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76232 ,  Y10S148/05

摘要： A method of forming a trench isolation structure in a semiconductor substrate. After etching a trench into the semiconductor substrate, an oxide layer is formed within the trench. The surface of this oxide layer is subject to a nitrogen plasma. Subsequently, another oxide layer is deposited over the nitrogen-rich surface of the first oxide layer. Deposition of this second oxide layer is accomplished by a chemical vapor deposition (CVD) process primarily using a reactant gas other than ozone.

摘要翻译： 一种在半导体衬底中形成沟槽隔离结构的方法。 在将沟槽蚀刻到半导体衬底中之后，在沟槽内形成氧化物层。 该氧化物层的表面经受氮等离子体。 随后，在第一氧化物层的富氮表面上沉积另一氧化物层。 通过主要使用除臭氧以外的反应物气体的化学气相沉积（CVD）工艺来实现该第二氧化物层的沉积。

公开(公告)号：US5985735A

公开(公告)日：1999-11-16

申请号：US536470

申请日：1995-09-29

申请人： Peter K. Moon ,  David T. Krick ,  Kerry L. Spurgin

发明人： Peter K. Moon ,  David T. Krick ,  Kerry L. Spurgin

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76232 ,  Y10S148/05

摘要： A method of forming a trench isolation structure in a semiconductor substrate. After etching a trench into the semiconductor substrate, an oxide layer is formed within the trench. The surface of this oxide layer is subjected to a nitrogen plasma. Subsequently, another oxide layer is deposited over the nitrogen-rich surface of the first oxide layer. Deposition of this second oxide layer is accomplished by a chemical vapor deposition (CVD) process primarily using a reactant gas other than ozone.

摘要翻译： 一种在半导体衬底中形成沟槽隔离结构的方法。 在将沟槽蚀刻到半导体衬底中之后，在沟槽内形成氧化物层。 该氧化物层的表面经受氮等离子体。 随后，在第一氧化物层的富氮表面上沉积另一氧化物层。 通过主要使用除臭氧以外的反应物气体的化学气相沉积（CVD）工艺来实现该第二氧化物层的沉积。