公开(公告)号：US5268069A

公开(公告)日：1993-12-07

申请号：US895493

申请日：1992-06-08

申请人： Jonathan D. Chapple-Sokol ,  Richard A. Conti ,  David E. Kotecki ,  Andrew H. Simon ,  Manu Tejwani

发明人： Jonathan D. Chapple-Sokol ,  Richard A. Conti ,  David E. Kotecki ,  Andrew H. Simon ,  Manu Tejwani

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02046 ,  H01L21/02049 ,  H01L21/31116

摘要： Anhydrous ammonium fluoride is used as a safe source of hydrogen fluoride for etching native or other silicon dioxide layers from silicon substrates. Heating the anhydrous ammonium fluoride above its sublimation temperature results in the generation of hydrogen fluoride gas which etches the silicon dioxide. Controlled amounts of water vapor are used during the etch reaction to ensure complete etching of the thin oxide layers down to within hundredths of a monolayer and to achieve precise etch rate control.

摘要翻译： 无水氟化铵用作氟化氢的安全源，用于从硅衬底蚀刻天然或其他二氧化硅层。 在其升华温度以上加热无水氟化铵导致产生二氧化硅蚀刻的氟化氢气体。 在蚀刻反应期间使用受控量的水蒸气，以确保将薄氧化物层完全蚀刻到百分之几以下的单层并且实现精确的蚀刻速率控制。