公开(公告)号：US20110109818A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12923543

申请日：2010-09-28

申请人： Naoki Uneda ,  Yoshihiro Mizuguchi ,  Moriyasu Nagura ,  Masahiro Kaida ,  Shinya A. Inage ,  Yoshinori Ogino

发明人： Naoki Uneda ,  Yoshihiro Mizuguchi ,  Moriyasu Nagura ,  Masahiro Kaida ,  Shinya A. Inage ,  Yoshinori Ogino

IPC分类号： G02F1/1335 ,  H01J9/20

CPC分类号： G02F1/133526 ,  G02F1/136277 ,  H04N9/3105 ,  H04N9/3152

摘要： A method for manufacturing a liquid crystal display device includes: an active matrix substrate formation step of forming an active matrix substrate, wherein the active matrix substrate formation step includes a first step of forming a microlens array having a plurality of microlenses on a transparent substrate, a second step of forming an oxide film on the microlens array, a third step of forming a TFT array having a plurality of TFT devices above the oxide film, and a fourth step of forming a light-blocking film selectively to define pixel openings.

摘要翻译： 一种制造液晶显示装置的方法，包括：形成有源矩阵基板的有源矩阵基板形成步骤，其中所述有源矩阵基板形成步骤包括在透明基板上形成具有多个微透镜的微透镜阵列的第一步骤， 在微透镜阵列上形成氧化膜的第二步骤，在氧化膜上形成具有多个TFT器件的TFT阵列的第三步骤，以及选择性地形成遮光膜以限定像素开口的第四步骤。

公开(公告)号：US5972796A

公开(公告)日：1999-10-26

申请号：US988049

申请日：1997-12-10

申请人： Ming Yang ,  Masahiro Kaida ,  Tom Lassister ,  Fred D. Fishburn

发明人： Ming Yang ,  Masahiro Kaida ,  Tom Lassister ,  Fred D. Fishburn

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L27/10 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31138

摘要： A method for etching a semiconductor device (10) having BARC layer (22) and nitride layer (20) includes etching BARC layer (22) until reaching a first set point in the fabrication reaction chamber and then etching nitride layer (20) in-situ the fabrication reaction chamber immediately following etching BARC layer (22).

摘要翻译： 一种用于蚀刻具有BARC层（22）和氮化物层（20）的半导体器件（10）的方法包括蚀刻BARC层（22）直到达到制造反应室中的第一设定点，然后蚀刻氮化物层（20） 在蚀刻BARC层（22）之后立即将制造反应室置于原位。