公开(公告)号：US20080020140A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11764745

申请日：2007-06-18

申请人： Hitoshi Morisaki ,  Yasushi Kamiya ,  Shuji Nomura ,  Masahiro Totuka ,  Tomoki Oku ,  Ryo Hattori

发明人： Hitoshi Morisaki ,  Yasushi Kamiya ,  Shuji Nomura ,  Masahiro Totuka ,  Tomoki Oku ,  Ryo Hattori

IPC分类号： C23C16/34

CPC分类号： C23C16/4411 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44

摘要： A silicon nitride film forming method makes possible the high reproducibility of film quality or film thickness. The silicon nitride film forming method deposits a silicon nitride film on the substrate surface by maintaining the heating element at a predetermined temperature and by decomposing and/or activating a raw material gas supplied from the gas supply system.

摘要翻译： 氮化硅膜形成方法可以实现膜质量或膜厚度的高再现性。 氮化硅膜形成方法通过将加热元件保持在预定温度并且通过分解和/或激活从气体供应系统供应的原料气体而将氮化硅膜沉积在基板表面上。

公开(公告)号：US07704556B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US11764745

申请日：2007-06-18

申请人： Hitoshi Morisaki ,  Yasushi Kamiya ,  Shuji Nomura ,  Masahiro Totuka ,  Tomoki Oku ,  Ryo Hattori

发明人： Hitoshi Morisaki ,  Yasushi Kamiya ,  Shuji Nomura ,  Masahiro Totuka ,  Tomoki Oku ,  Ryo Hattori

IPC分类号： C23C16/34

CPC分类号： C23C16/4411 ,  C23C16/345 ,  C23C16/44

摘要： The silicon nitride film forming method deposits a silicon nitride film on the substrate surface by maintaining the heating element at a predetermined temperature and by decomposing and/or activating a raw material gas supplied from the gas supply system.

摘要翻译： 氮化硅膜形成方法通过将加热元件保持在预定温度并且通过分解和/或激活从气体供应系统供应的原料气体而将氮化硅膜沉积在基板表面上。