公开(公告)号：US5156727A

公开(公告)日：1992-10-20

申请号：US596853

申请日：1990-10-12

申请人： Erik J. Bjornard ,  Michael J. Valiska ,  Clifford L. Taylor

发明人： Erik J. Bjornard ,  Michael J. Valiska ,  Clifford L. Taylor

IPC分类号： C23C14/04 ,  H01J37/34

CPC分类号： H01J37/32623 ,  C23C14/044 ,  H01J37/34

摘要： A mask arrangement is located between the cathode and substrate in an in-line sputtering system. The relative shape of the mask may be changed from outside the system. Thus, film thickness uniformity can be modified and controlled without interrupting the sputtering process.

摘要翻译： 掩模布置位于阴极和衬底之间的在线溅射系统中。 掩模的相对形状可以从系统外部改变。 因此，可以改变和控制膜厚均匀性而不中断溅射工艺。