公开(公告)号：US07332788B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10927270

申请日：2004-08-26

申请人： Dirk Ahlers ,  Miguel Cuadron Marion ,  Uwe Wahl ,  Armin Willmeroth

发明人： Dirk Ahlers ,  Miguel Cuadron Marion ,  Uwe Wahl ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/66712

摘要： The invention relates to a semiconductor power device with charge compensation structure and monolithic integrated circuit, and method for fabricating it. In the case of this semiconductor power device, zones (6) in charge compensation cells (27) that are arranged vertically and doped complimentarily to the semiconductor chip volume (5) are arranged in the entire chip volume, the complimentarily doped zones (6) extending right into surface regions (11) of the semiconductor power elements (7) and not projecting into surface regions (12) of semiconductor surface elements (1).

摘要翻译： 本发明涉及具有电荷补偿结构和单片集成电路的半导体功率器件及其制造方法。 在该半导体功率器件的情况下，在芯片体积整体上配置垂直配置并与半导体芯片体积（5）相辅相成的电荷补偿单元（27）的区域（6），补充掺杂区域（6） 延伸到半导体功率元件（7）的表面区域（11）中，并且不突出到半导体表面元件（1）的表面区域（12）中。