公开(公告)号：US06146970A

公开(公告)日：2000-11-14

申请号：US084280

申请日：1998-05-26

申请人： Keith E. Witek ,  Mike Hsiao-Hui Chen ,  Stephen Shiu-Kong Poon

发明人： Keith E. Witek ,  Mike Hsiao-Hui Chen ,  Stephen Shiu-Kong Poon

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/76 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11531

摘要： A method for forming a capped shallow trench isolation (CaSTI) structure begin by etching a trench opening (210). The opening (210) is filled with an oxide or like trench fill material (216b) via a deposition and chemical mechanical polish (CMP) step. The plug (216b) is reactive ion etched (RIE) to recess a top of the plug (216b) into the trench opening (210) to form a recessed plug region (216c). A silicon nitride or oxynitride capping layer (218b) is then formed over the recessed plug region (216c) via another deposition and polishing step. The nitride cap layer (218b) protects the underlying region (216c) from erosion due to active area preparation, cleaning, and processing.

摘要翻译： 用于形成加盖浅沟槽隔离（CaSTI）结构的方法开始于蚀刻沟槽开口（210）。 通过沉积和化学机械抛光（CMP）步骤，用氧化物或类似的沟槽填充材料（216b）填充开口（210）。 插塞（216b）是反应离子蚀刻（RIE），以将插头（216b）的顶部凹入沟槽开口（210）以形成凹陷插塞区域（216c）。 然后通过另一沉积和抛光步骤在凹形插塞区域（216c）上形成氮化硅或氧氮化物覆盖层（218b）。 氮化物盖层（218b）由于活性区域的制备，清洁和处理而保护下面的区域（216c）免受侵蚀。