公开(公告)号：US08513638B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13137687

申请日：2011-09-02

申请人： Tomoyasu Kakegawa ,  Isamu Asano ,  Tsuyoshi Kawagoe ,  Hiromi Sasaoka ,  Naoya Higano ,  Yuta Watanabe

发明人： Tomoyasu Kakegawa ,  Isamu Asano ,  Tsuyoshi Kawagoe ,  Hiromi Sasaoka ,  Naoya Higano ,  Yuta Watanabe

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： A semiconductor device may include, but is not limited to: a first insulating film; a second insulating film over the first insulating film; a first memory structure between the first and second insulating films; and a third insulating film between the first and second insulating films. The first memory structure may include, but is not limited to: a heater electrode; and a phase-change memory element between the heater electrode and the second insulating film. The phase-change memory element contacts the heater electrode. The third insulating film covers at least a side surface of the phase-change memory element. Empty space is positioned adjacent to at least one of the heater electrode and the third insulating film.

摘要翻译： 半导体器件可以包括但不限于：第一绝缘膜; 第一绝缘膜上的第二绝缘膜; 第一和第二绝缘膜之间的第一存储器结构; 以及在第一和第二绝缘膜之间的第三绝缘膜。 第一存储器结构可以包括但不限于：加热器电极; 以及加热器电极和第二绝缘膜之间的相变存储元件。 相变存储元件接触加热器电极。 第三绝缘膜覆盖相变存储元件的至少一个侧面。 空的空间位于与加热器电极和第三绝缘膜中的至少一个相邻的位置。

公开(公告)号：US20120056148A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13137687

申请日：2011-09-02

申请人： Tomoyasu Kakegawa ,  Isamu Asano ,  Tsuyoshi Kawagoe ,  Hiromi Sasaoka ,  Naoya Higano ,  Yuta Watanabe

发明人： Tomoyasu Kakegawa ,  Isamu Asano ,  Tsuyoshi Kawagoe ,  Hiromi Sasaoka ,  Naoya Higano ,  Yuta Watanabe

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： A semiconductor device may include, but is not limited to: a first insulating film; a second insulating film over the first insulating film; a first memory structure between the first and second insulating films; and a third insulating film between the first and second insulating films. The first memory structure may include, but is not limited to: a heater electrode; and a phase-change memory element between the heater electrode and the second insulating film. The phase-change memory element contacts the heater electrode. The third insulating film covers at least a side surface of the phase-change memory element. Empty space is positioned adjacent to at least one of the heater electrode and the third insulating film.

摘要翻译： 半导体器件可以包括但不限于：第一绝缘膜; 第一绝缘膜上的第二绝缘膜; 第一和第二绝缘膜之间的第一存储器结构; 以及在第一和第二绝缘膜之间的第三绝缘膜。 第一存储器结构可以包括但不限于：加热器电极; 以及加热器电极和第二绝缘膜之间的相变存储元件。 相变存储元件接触加热器电极。 第三绝缘膜覆盖相变存储元件的至少一个侧面。 空的空间位于与加热器电极和第三绝缘膜中的至少一个相邻的位置。