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1.发明申请MULTIPLE PATTERNING PROCESS FOR FORMING TRENCHES OR HOLES USING STITCHED ASSIST FEATURES 有权使用刺绣辅助功能形成倾斜或多孔的多种花样公开(公告)号：US20130236836A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：US13414971
申请日：2012-03-08
申请人： Yuyang Sun , Norman S. Chen , Jian Liu
发明人： Yuyang Sun , Norman S. Chen , Jian Liu
摘要： One illustrative method disclosed herein involves identifying an overall target pattern comprised of at least one hole-type feature, decomposing the overall target pattern into at least a first sub-target pattern and a second sub-target pattern, wherein the first sub-target pattern and the second sub-target pattern each comprise at least one common hole-type feature, generating a first set of mask data information corresponding to the first sub-target pattern, and generating a second set of mask data information corresponding to the second sub-target pattern.
摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法涉及识别由至少一个孔型特征组成的总体目标图案，将总体目标图案分解为至少第一子目标图案和第二子目标图案，其中第一子目标图案 并且所述第二子目标图案各自包括至少一个公共孔型特征，产生与所述第一子目标图案相对应的第一组掩模数据信息，以及生成与所述第二子目标图形对应的第二组掩模数据信息， 目标模式。
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2.发明授权Multiple patterning process for forming trenches or holes using stitched assist features 有权用于使用缝合辅助特征形成沟槽或孔的多重构图工艺公开(公告)号：US08782571B2
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：US13414971
申请日：2012-03-08
申请人： Yuyang Sun , Norman S. Chen , Jian Liu
发明人： Yuyang Sun , Norman S. Chen , Jian Liu
IPC分类号： G06F17/50
摘要： One illustrative method disclosed herein involves identifying an overall target pattern comprised of at least one hole-type feature, decomposing the overall target pattern into at least a first sub-target pattern and a second sub-target pattern, wherein the first sub-target pattern and the second sub-target pattern each comprise at least one common hole-type feature, generating a first set of mask data information corresponding to the first sub-target pattern, and generating a second set of mask data information corresponding to the second sub-target pattern.
摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法涉及识别由至少一个孔型特征组成的总体目标图案，将总体目标图案分解为至少第一子目标图案和第二子目标图案，其中第一子目标图案 并且所述第二子目标图案各自包括至少一个公共孔型特征，产生与所述第一子目标图案相对应的第一组掩模数据信息，以及生成与所述第二子目标图形对应的第二组掩模数据信息， 目标模式。
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3.发明申请OPTICAL PROXIMITY CORRECTION METHODS FOR MASKS TO BE USED IN MULTIPLE PATTERNING PROCESSES 审中-公开用于多种绘图过程中的掩模的光学近似校正方法公开(公告)号：US20130232456A1
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：US13410729
申请日：2012-03-02
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G03F1/36
摘要： Disclosed herein are various OPC methods as it relates to the formation of masks to be used in multiple patterning processes, such as double patterning processes, and to the use of such masks during the manufacture of semiconductor devices. One illustrative method disclosed herein includes the steps of decomposing an initial overall target pattern into at least a first sub-target pattern and a second sub-target pattern, wherein each of the first and second sub-target patterns comprise at least one feature, and performing a first optical proximity correction process on the first sub-target pattern, wherein a position of at least one feature of the second sub-target pattern in the initial overall target pattern is considered when performing the first optical proximity correction process.
摘要翻译： 本文公开了各种OPC方法，因为它涉及用于多次图案化工艺（例如双重图案化工艺）中的掩模的形成，以及在制造半导体器件期间使用这种掩模。 本文公开的一种说明性方法包括以下步骤：将初始总体目标图案分解为至少第一子目标图案和第二子目标图案，其中第一和第二子目标图案中的每一个包括至少一个特征，以及 对所述第一子目标图案执行第一光学邻近校正处理，其中当执行所述第一光学邻近校正处理时，考虑所述初始总体目标图案中的所述第二子目标图案的至少一个特征的位置。
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