公开(公告)号：US07968277B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12796449

申请日：2010-06-08

申请人： Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan ,  Paul Poon ,  Michael Konevecki

发明人： Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan ,  Paul Poon ,  Michael Konevecki

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/00 ,  G03F7/70425

摘要： A photolithographic method uses different exposure patterns. In one aspect, a photo-sensitive layer on a substrate is subject to a first exposure using optics having a first exposure pattern, such as an x-dipole pattern, followed by exposure using optics having a second exposure pattern, such as a y-dipole pattern, via the same mask, and with the photo-sensitive layer fixed relative to the mask. A 2-D post pattern with a pitch of approximately 70-150 nm may be formed in a layer beneath the photo-sensitive layer using 157-193 nm UV light, and hyper-numerical aperture optics, in one approach. In another aspect, hard baking is performed after both of the first and second exposures to erase a memory effect of photoresist after the first exposure. In another aspect, etching of a hard mask beneath the photo-sensitive layer is performed after both of the first and second exposures.

摘要翻译： 光刻方法使用不同的曝光模式。 在一个方面，使用具有第一曝光图案（例如x-偶极图案）的光学器件，然后使用具有第二曝光图案的光学元件例如y型曝光，使用基板上的感光层进行第一次曝光， 偶极图案，通过相同的掩模，并且光敏层相对于掩模固定。 在一种方法中，可以使用157-193nm UV光和超数值孔径光学器件在光敏层下方的层中形成具有约70-150nm间距的2-D柱状图案。 另一方面，在第一曝光和第二次曝光之后进行硬烘烤，以擦除在第一次曝光之后光致抗蚀剂的记忆效应。 在另一方面，在第一和第二次曝光之后进行光敏层下面的硬掩模的蚀刻。

公开(公告)号：US20100243602A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12796449

申请日：2010-06-08

申请人： Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan ,  Paul Poon ,  Michael W. Konevecki

发明人： Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan ,  Paul Poon ,  Michael W. Konevecki

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/00 ,  G03F7/70425

摘要： A photolithographic method uses different exposure patterns. In one aspect, a photo-sensitive layer on a substrate is subject to a first exposure using optics having a first exposure pattern, such as an x-dipole pattern, followed by exposure using optics having a second exposure pattern, such as a y-dipole pattern, via the same mask, and with the photo-sensitive layer fixed relative to the mask. A 2-D post pattern with a pitch of approximately 70-150 nm may be formed in a layer beneath the photo-sensitive layer using 157-193 nm UV light, and hyper-numerical aperture optics, in one approach. In another aspect, hard baking is performed after both of the first and second exposures to erase a memory effect of photoresist after the first exposure. In another aspect, etching of a hard mask beneath the photo-sensitive layer is performed after both of the first and second exposures.

摘要翻译： 光刻方法使用不同的曝光模式。 在一个方面，使用具有第一曝光图案（例如x-偶极图案）的光学器件，然后使用具有第二曝光图案的光学元件例如y型曝光，使用基板上的感光层进行第一次曝光， 偶极图案，通过相同的掩模，并且光敏层相对于掩模固定。 在一种方法中，可以使用157-193nm UV光和超数值孔径光学器件在光敏层下方的层中形成具有约70-150nm间距的2-D柱状图案。 另一方面，在第一曝光和第二次曝光之后进行硬烘烤，以擦除在第一次曝光之后光致抗蚀剂的记忆效应。 在另一方面，在第一和第二次曝光之后进行光敏层下面的硬掩模的蚀刻。

公开(公告)号：US20100222076A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12776071

申请日：2010-05-07

申请人： Wang Paul Poon ,  Qiuzhen Zou

发明人： Wang Paul Poon ,  Qiuzhen Zou

IPC分类号： H04W64/00

CPC分类号： H04B1/708 ,  G01S19/30 ,  G01S19/34 ,  G01S19/37 ,  H04B1/70754 ,  H04B1/70758 ,  H04B2201/70711

摘要： Searcher hardware is multiplexed to perform simultaneous searches in either an IS-95 CDMA mode or a GPS mode. In the IS-95 mode, the search hardware is time-multiplexed into a number of searcher time slices, each of which can generate a PN sequence to despread a data sequence. In the GPS mode, the search hardware is configured as a number of distinct GPS channels, each of which can generate a Gold code sequence for tracking a GPS signal from a particular GPS satellite. This configuration allows the searcher to perform multiple GPS signal searches simultaneously. Signal searching in both IS-95 and GPS modes is performed at significantly higher speeds compared to conventional searcher hardware. Moreover, the search hardware can be dynamically configured to operate in either the IS-95 or the GPS mode, eliminating the need for dedicated circuitry for each mode of operation.

摘要翻译： 搜索硬件被复用以在IS-95 CDMA模式或GPS模式中执行同时搜索。 在IS-95模式中，搜索硬件被时分复用到多个搜索器时间片中，每个搜索时间片可以产生PN序列来解扩数据序列。 在GPS模式中，搜索硬件被配置为多个不同的GPS信道，每个通道可以生成用于跟踪来自特定GPS卫星的GPS信号的金码序列。 该配置允许搜索者同时执行多个GPS信号搜索。 与传统的搜索器硬件相比，在IS-95和GPS模式下的信号搜索以更高的速度执行。 而且，搜索硬件可以被动态配置为在IS-95或GPS模式中操作，从而消除了对于每个操作模式的专用电路的需要。

公开(公告)号：US07738533B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US10041205

申请日：2002-01-07

申请人： Wang Paul Poon ,  Qiuzhen Zou

发明人： Wang Paul Poon ,  Qiuzhen Zou

IPC分类号： H04B1/707

CPC分类号： H04B1/708 ,  G01S19/30 ,  G01S19/34 ,  G01S19/37 ,  H04B1/70754 ,  H04B1/70758 ,  H04B2201/70711

摘要： Searcher hardware is multiplexed to perform simultaneous searches in either an IS-95 CDMA mode or a GPS mode. In the IS-95 mode, the search hardware is time-multiplexed into a number of searcher time slices, each of which can generate a PN sequence to despread a data sequence. In the GPS mode, the search hardware is configured as a number of distinct GPS channels, each of which can generate a Gold code sequence for tracking a GPS signal from a particular GPS satellite. This configuration allows the searcher to perform multiple GPS signal searches simultaneously. Signal searching in both IS-95 and GPS modes is performed at significantly higher speeds compared to conventional searcher hardware. Moreover, the search hardware can be dynamically configured to operate in either the IS-95 or the GPS mode, eliminating the need for dedicated circuitry for each mode of operation.

摘要翻译： 搜索硬件被复用以在IS-95 CDMA模式或GPS模式中执行同时搜索。 在IS-95模式中，搜索硬件被时分复用到多个搜索器时间片中，每个搜索时间片可以产生PN序列来解扩数据序列。 在GPS模式中，搜索硬件被配置为多个不同的GPS信道，每个通道可以生成用于跟踪来自特定GPS卫星的GPS信号的金码序列。 该配置允许搜索者同时执行多个GPS信号搜索。 与传统的搜索器硬件相比，在IS-95和GPS模式下的信号搜索以更高的速度执行。 而且，搜索硬件可以被动态配置为在IS-95或GPS模式中操作，从而消除了对于每个操作模式的专用电路的需要。

公开(公告)号：US20090087963A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US11864205

申请日：2007-09-28

申请人： Yung-Tin Chen ,  Michael Chan ,  Paul Poon ,  Steven J. Radigan

发明人： Yung-Tin Chen ,  Michael Chan ,  Paul Poon ,  Steven J. Radigan

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/40

摘要： A method creates pillar structures on a semiconductor wafer and includes the steps of providing a layer of semiconductor. A layer of photoresist is applied over the layer of semiconductor. The layer of photoresist is exposed with an initial pattern of light to effect the layer of photoresist. The photoresist layer is then etched away to provide a photoresist pattern to create the pillar structures. The photoresist pattern is processed in the layer of photoresist after the step of exposing the layer of photoresist and prior to the step of etching to reduce the dimensions of the photoresist pattern in the layer of photoresist.

摘要翻译： 一种方法在半导体晶片上形成柱结构，并且包括提供半导体层的步骤。 一层光致抗蚀剂被施加在半导体层上。 光致抗蚀剂层用初始图案曝光以实现光致抗蚀剂层。 然后蚀刻掉光致抗蚀剂层以提供光致抗蚀剂图案以产生柱结构。 在曝光光致抗蚀剂层的步骤之前和蚀刻步骤之前，在光致抗蚀剂层中处理光致抗蚀剂图案，以减小光致抗蚀剂层中的光刻胶图案的尺寸。

公开(公告)号：US20080160423A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US11618776

申请日：2006-12-30

申请人： Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan ,  Paul Poon ,  Michael W. Konevecki

发明人： Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan ,  Paul Poon ,  Michael W. Konevecki

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/00 ,  G03F7/70425

摘要： A photolithographic method uses different exposure patterns. In one aspect, a photo-sensitive layer on a substrate is subject to a first exposure using optics having a first exposure pattern, such as an x-dipole pattern, followed by exposure using optics having a second exposure pattern, such as a y-dipole pattern, via the same mask, and with the photo-sensitive layer fixed relative to the mask. A 2-D post pattern with a pitch of approximately 70-150 nm may be formed in a layer beneath the photo-sensitive layer using 157-193 nm UV light, and hyper-numerical aperture optics, in one approach. In another aspect, hard baking is performed after both of the first and second exposures to erase a memory effect of photoresist after the first exposure. In another aspect, etching of a hard mask beneath the photo-sensitive layer is performed after both of the first and second exposures.

摘要翻译： 光刻方法使用不同的曝光模式。 在一个方面，使用具有第一曝光图案（例如x-偶极图案）的光学器件，然后使用具有第二曝光图案的光学元件例如y型曝光，使用基板上的感光层进行第一次曝光， 偶极图案，通过相同的掩模，并且光敏层相对于掩模固定。 在一种方法中，可以使用157-193nm UV光和超数值孔径光学器件在光敏层下方的层中形成具有约70-150nm间距的2-D柱状图案。 另一方面，在第一曝光和第二次曝光之后进行硬烘烤，以擦除在第一次曝光之后光致抗蚀剂的记忆效应。 在另一方面，在第一和第二次曝光之后进行光敏层下面的硬掩模的蚀刻。

公开(公告)号：US08582623B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12776071

申请日：2010-05-07

申请人： Wang Paul Poon ,  Qiuzhen Zou

发明人： Wang Paul Poon ,  Qiuzhen Zou

IPC分类号： H04B1/707

CPC分类号： H04B1/708 ,  G01S19/30 ,  G01S19/34 ,  G01S19/37 ,  H04B1/70754 ,  H04B1/70758 ,  H04B2201/70711

摘要： Searcher hardware is multiplexed to perform simultaneous searches in either an IS-95 CDMA mode or a GPS mode. In the IS-95 mode, the search hardware is time-multiplexed into a number of searcher time slices, each of which can generate a PN sequence to despread a data sequence. In the GPS mode, the search hardware is configured as a number of distinct GPS channels, each of which can generate a Gold code sequence for tracking a GPS signal from a particular GPS satellite. This configuration allows the searcher to perform multiple GPS signal searches simultaneously. Signal searching in both IS-95 and GPS modes is performed at significantly higher speeds compared to conventional searcher hardware. Moreover, the search hardware can be dynamically configured to operate in either the IS-95 or the GPS mode, eliminating the need for dedicated circuitry for each mode of operation.

公开(公告)号：US20050065775A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10669967

申请日：2003-09-23

申请人： Paul Poon

发明人： Paul Poon

IPC分类号： G06F3/00 ,  G06F3/01 ,  G06F3/023 ,  G06F17/22 ,  G06F17/28 ,  G10L19/00

CPC分类号： G06F3/018 ,  G06F3/0235 ,  G06F17/2223

摘要： A method and system for inputting Chinese characters from an English keyboard into a computer. The invention is implemented via a software application that runs on a computer to which a physical or virtual keyboard device is connected. The software application has a database of English character sequences each of which is associated with a Chinese character. The software application captures character sequences generated by the user operating the keyboard, and searches its database for matches to the captured sequence.

摘要翻译： 将英文键盘的汉字输入计算机的方法和系统。 本发明通过在连接物理或虚拟键盘装置的计算机上运行的软件应用来实现。 软件应用程序具有英文字符序列数据库，每个字符序列都与汉字相关联。 软件应用程序捕获由用户操作键盘生成的字符序列，并搜索其数据库中与捕获的序列的匹配。

公开(公告)号：US07794921B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11618776

申请日：2006-12-30

申请人： Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan ,  Paul Poon ,  Michael W. Konevecki

发明人： Yung-Tin Chen ,  Steven J. Radigan ,  Paul Poon ,  Michael W. Konevecki

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/00 ,  G03F7/70425

摘要： A photolithographic method uses different exposure patterns. In one aspect, a photo-sensitive layer on a substrate is subject to a first exposure using optics having a first exposure pattern, such as an x-dipole pattern, followed by exposure using optics having a second exposure pattern, such as a y-dipole pattern, via the same mask, and with the photo-sensitive layer fixed relative to the mask. A 2-D post pattern with a pitch of approximately 70-150 nm may be formed in a layer beneath the photo-sensitive layer using 157-193 nm UV light, and hyper-numerical aperture optics, in one approach. In another aspect, hard baking is performed after both of the first and second exposures to erase a memory effect of photoresist after the first exposure. In another aspect, etching of a hard mask beneath the photo-sensitive layer is performed after both of the first and second exposures.

摘要翻译： 光刻方法使用不同的曝光模式。 在一个方面，使用具有第一曝光图案（例如x-偶极图案）的光学器件，然后使用具有第二曝光图案的光学元件例如y型曝光，使用基板上的感光层进行第一次曝光， 偶极图案，通过相同的掩模，并且光敏层相对于掩模固定。 在一种方法中，可以使用157-193nm UV光和超数值孔径光学器件在光敏层下方的层中形成具有约70-150nm间距的2-D柱状图案。 另一方面，在第一曝光和第二次曝光之后进行硬烘烤，以擦除在第一次曝光之后光致抗蚀剂的记忆效应。 在另一方面，在第一和第二次曝光之后进行光敏层下面的硬掩模的蚀刻。

公开(公告)号：US07682942B2

公开(公告)日：2010-03-23

申请号：US11864205

申请日：2007-09-28

申请人： Yung-Tin Chen ,  Michael Chan ,  Paul Poon ,  Steven J. Radigan

发明人： Yung-Tin Chen ,  Michael Chan ,  Paul Poon ,  Steven J. Radigan

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/40

摘要： A method creates pillar structures on a semiconductor wafer and includes the steps of providing a layer of semiconductor. A layer of photoresist is applied over the layer of semiconductor. The layer of photoresist is exposed with an initial pattern of light to effect the layer of photoresist. The photoresist layer is then etched away to provide a photoresist pattern to create the pillar structures. The photoresist pattern is processed in the layer of photoresist after the step of exposing the layer of photoresist and prior to the step of etching to reduce the dimensions of the photoresist pattern in the layer of photoresist.

摘要翻译： 一种方法在半导体晶片上形成柱结构，并且包括提供半导体层的步骤。 一层光致抗蚀剂被施加在半导体层上。 光致抗蚀剂层用初始图案曝光以实现光致抗蚀剂层。 然后蚀刻掉光致抗蚀剂层以提供光致抗蚀剂图案以产生柱结构。 在曝光光致抗蚀剂层的步骤之前和蚀刻步骤之前，在光致抗蚀剂层中处理光致抗蚀剂图案，以减小光致抗蚀剂层中的光刻胶图案的尺寸。