公开(公告)号：US20090218622A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US11995087

申请日：2006-07-10

申请人： Freerk Van Rijs ,  Stephan J., C., H. Theeuwen ,  Petra C., A. Hammes

发明人： Freerk Van Rijs ,  Stephan J., C., H. Theeuwen ,  Petra C., A. Hammes

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： The LDMOS transistor (1) of the invention comprises a source region (3), a channel region (4), a drain extension region (7) and a gate electrode (10). The LDMOS transistor (1) further comprises a first gate oxide layer (8) and a second gate oxide layer (9), which is thicker than the first gate oxide layer (8). The first gate oxide layer (8) at least extends over a first portion of the channel region (4), which is adjacent to the source region (3). The second gate oxide layer (9) extends over a region where a local maximum (A, B) of the electric field (E) generates hot carriers thereby reducing the impact of the hot carriers and reducing the Idq-degradation. In another embodiment the second gate oxide layer (9) extends over a second portion of the channel region (4), which mutually connects the drain extension region (7) and the first portion of the channel region (4), thereby improving the linear efficiency of the LDMOS transistor (1).

摘要翻译： 本发明的LDMOS晶体管（1）包括源极区（3），沟道区（4），漏极延伸区（7）和栅电极（10）。 LDMOS晶体管（1）还包括比第一栅极氧化物层（8）厚的第一栅极氧化物层（8）和第二栅极氧化物层（9）。 第一栅极氧化物层（8）至少延伸在与源极区域（3）相邻的沟道区域（4）的第一部分上。 第二栅极氧化物层（9）在电场（E）的局部最大值（A，B））产生热载流子的区域上延伸，从而减少热载流子的影响并降低Idq降解。 在另一个实施例中，第二栅极氧化物层（9）在沟道区域（4）的第二部分上延伸，沟道区域（4）相互连接漏极延伸区域（7）和沟道区域（4）的第一部分，从而改善线性 LDMOS晶体管（1）的效率。

公开(公告)号：US07989879B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US11995087

申请日：2006-07-10

申请人： Freerk Van Rijs ,  Stephan J. C. H. Theeuwen ,  Petra C. A. Hammes

发明人： Freerk Van Rijs ,  Stephan J. C. H. Theeuwen ,  Petra C. A. Hammes

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： The LDMOS transistor (1) of the invention comprises a source region (3), a channel region (4), a drain extension region (7) and a gate electrode (10). The LDMOS transistor (1) further comprises a first gate oxide layer (8) and a second gate oxide layer (9), which is thicker than the first gate oxide layer (8). The first gate oxide layer (8) at least extends over a first portion of the channel region (4), which is adjacent to the source region (3). The second gate oxide layer (9) extends over a region where a local maximum (A, B) of the electric field (E) generates hot carriers thereby reducing the impact of the hot carriers and reducing the Idq-degradation. In another embodiment the second gate oxide layer (9) extends over a second portion of the channel region (4), which mutually connects the drain extension region (7) and the first portion of the channel region (4), thereby improving the linear efficiency of the LDMOS transistor (1).

摘要翻译： 本发明的LDMOS晶体管（1）包括源极区（3），沟道区（4），漏极延伸区（7）和栅电极（10）。 LDMOS晶体管（1）还包括比第一栅极氧化物层（8）厚的第一栅极氧化物层（8）和第二栅极氧化物层（9）。 第一栅极氧化物层（8）至少延伸在与源极区域（3）相邻的沟道区域（4）的第一部分上。 第二栅极氧化物层（9）在电场（E）的局部最大值（A，B））产生热载流子的区域上延伸，从而减少热载流子的影响并降低Idq降解。 在另一个实施例中，第二栅极氧化物层（9）在沟道区域（4）的第二部分上延伸，沟道区域（4）相互连接漏极延伸区域（7）和沟道区域（4）的第一部分，从而改善线性 LDMOS晶体管（1）的效率。