公开(公告)号：US20110114145A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12673366

申请日：2008-08-21

申请人： Peidong Yang ,  Arunava Majumdar ,  Allon I. Hochbaum ,  Renkun Chen ,  Raul Diaz Delgado

发明人： Peidong Yang ,  Arunava Majumdar ,  Allon I. Hochbaum ,  Renkun Chen ,  Raul Diaz Delgado

IPC分类号： H01L35/28 ,  H01L29/06 ,  H01L35/30 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L35/26 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32

摘要： The invention provides for a nanostructure, or an array of such nanostructures, each comprising a rough surface, and a doped or undoped semiconductor. The nanostructure is an one-dimensional (1-D) nanostructure, such a nanowire, or a two-dimensional (2-D) nanostructure. The nanostructure can be placed between two electrodes and used for thermoelectric power generation or thermoelectric cooling.

摘要翻译： 本发明提供纳米结构或这种纳米结构的阵列，每个包括粗糙表面，以及掺杂或未掺杂的半导体。 纳米结构是一维（1-D）纳米结构，如纳米线或二维（2-D）纳米结构。 纳米结构可以放置在两个电极之间，用于热电发电或热电冷却。

公开(公告)号：US08729381B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US12673366

申请日：2008-08-21

申请人： Peidong Yang ,  Arunava Majumdar ,  Allon I. Hochbaum ,  Renkun Chen ,  Raul Diaz Delgado

发明人： Peidong Yang ,  Arunava Majumdar ,  Allon I. Hochbaum ,  Renkun Chen ,  Raul Diaz Delgado

IPC分类号： H01L35/28 ,  H01L35/14 ,  H01L35/20

CPC分类号： H01L35/26 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32

摘要： The invention provides for a nanostructure, or an array of such nanostructures, each comprising a rough surface, and a doped or undoped semiconductor. The nanostructure is an one-dimensional (1-D) nanostructure, such a nanowire, or a two-dimensional (2-D) nanostructure. The nanostructure can be placed between two electrodes and used for thermoelectric power generation or thermoelectric cooling.

摘要翻译： 本发明提供纳米结构或这种纳米结构的阵列，每个包括粗糙表面，以及掺杂或未掺杂的半导体。 纳米结构是一维（1-D）纳米结构，如纳米线或二维（2-D）纳米结构。 纳米结构可以放置在两个电极之间，用于热电发电或热电冷却。