公开(公告)号：US06778357B2

公开(公告)日：2004-08-17

申请号：US10084729

申请日：2001-10-24

申请人： Ibro Tabakovic ,  Paul A. Jallen ,  John Rice ,  Steve C. Riemer ,  Venkateswara R. Inturi ,  Lyle P. Cox ,  Hong Wang ,  Robbee L. Grimm ,  Erik Hutchinson ,  Charles Ericson

发明人： Ibro Tabakovic ,  Paul A. Jallen ,  John Rice ,  Steve C. Riemer ,  Venkateswara R. Inturi ,  Lyle P. Cox ,  Hong Wang ,  Robbee L. Grimm ,  Erik Hutchinson ,  Charles Ericson

IPC分类号： G11B5147

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3153 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetic head for use in magnetic data storage systems is provided. The magnetic head includes a substantially non-magnetic writer gap layer and pair of magnetic poles separated by the writer gap layer. A first of the poles includes a first layer formed of a CoNiFe alloy that has a saturation magnetic moment greater than 2.1 Tesla. Methods of fabricating such a head are also disclosed.

摘要翻译： 提供了用于磁数据存储系统的磁头。 磁头包括基本上非磁性的写入器间隙层和由写入器间隙层分离的一对磁极。 第一极包括由具有大于2.1特斯拉的饱和磁矩的CoNiFe合金形成的第一层。 还公开了制造这种头部的方法。

公开(公告)号：US06600637B1

公开(公告)日：2003-07-29

申请号：US09541218

申请日：2000-04-03

申请人： Hong Wang ,  Robbee L. Grimm ,  Matthew T. Johnson ,  John P. Spangler ,  Craig A. Ballentine ,  Qing He ,  Steven C. Riemer ,  Brian J. Daniels

发明人： Hong Wang ,  Robbee L. Grimm ,  Matthew T. Johnson ,  John P. Spangler ,  Craig A. Ballentine ,  Qing He ,  Steven C. Riemer ,  Brian J. Daniels

IPC分类号： G11B5127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3143 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetic data storage and retrieval system has a bottom shield, a first half gap positioned on the bottom shield, a sensor layer positioned on the first half gap, a second half gap positioned on the sensor layer; and a top shield positioned on the second half gap. The sensor layer includes a magnetoresistive sensor having sidewalls and a barrier surrounding and in direct contact with the sidewalls of the magnetoresistive sensor.

摘要翻译： 磁数据存储和检索系统具有底屏蔽，位于底屏蔽上的第一半间隙，位于第一半间隙上的传感器层，位于传感器层上的第二半间隙; 以及位于第二半间隙上的顶部屏蔽。 传感器层包括磁阻传感器，该磁阻传感器具有围绕并与磁阻传感器的侧壁直接接触的侧壁和屏障。