公开(公告)号：US20070215932A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11277008

申请日：2006-03-20

申请人： Meng Ding ,  Lei Xue ,  Mark Randolph ,  Robert Ogle, Jr. ,  Chi Chang

发明人： Meng Ding ,  Lei Xue ,  Mark Randolph ,  Robert Ogle, Jr. ,  Chi Chang

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7923

摘要： A memory cell system including providing a substrate, forming a charge-storing stack having silicon-rich nitride on the substrate, and forming a gate on the charge-storing stack.

摘要翻译： 一种存储单元系统，包括提供衬底，在衬底上形成具有富含硅的氮化物的电荷存储堆叠，并在电荷存储堆上形成栅极。