公开(公告)号：US5833869A

公开(公告)日：1998-11-10

申请号：US782690

申请日：1997-01-16

申请人： Kevin Haas ,  Robert Witte ,  Sang Kim

发明人： Kevin Haas ,  Robert Witte ,  Sang Kim

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/301 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02 ,  H03H9/19 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H03H3/02 ,  H01L41/332

摘要： A method (202) for etching photolithographically produced quartz crystal blanks for singulation. In a first step (202), a quartz wafer is plated on both sides with metal and subsequently coated on both sides with photoresist. In a second step (204), the photoresist is patterned and developed and the metal layer on one side is etched through to form a narrow channel in the quartz defining a perimeter of a quartz blank. In a third step (206), the quartz channel is preferentially etched partially into the wafer along parallel atomic planes to provide a mechanically weak junction between the quartz wafer and the blanks to be singulated. In a fourth step (208), the photoresist layers are stripped from the quartz wafer. In a final step (210), the quartz blank is cleaved substantially along the bottom of the quartz channel to singulate the crystal blanks from the quartz wafer.

摘要翻译： 一种用于刻蚀光刻制造的石英晶体坯料进行单分割的方法（202）。 在第一步骤（202）中，石英晶片在两侧用金属电镀，随后用光致抗蚀剂涂覆在两面上。 在第二步骤（204）中，对光致抗蚀剂进行图案化和显影，并且在一侧的金属层被蚀刻通过以形成限定石英片周边的石英中的窄通道。 在第三步骤（206）中，石英沟道优先沿着平行的原子平面部分地蚀刻到晶片中，以在石英晶片和待切割的坯料之间提供机械上的弱连接。 在第四步骤（208）中，从石英晶片剥离光致抗蚀剂层。 在最终步骤（210）中，石英坯料基本上沿着石英通道的底部裂开，以从石英晶片中分离出晶体坯料。