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公开(公告)号：US20110254141A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：US13141208
申请日：2009-12-21
CPC分类号： H01L23/576 , G06F21/73 , H01L28/55 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a semiconductor device comprising a physical structure (50) for use in a physical unclonable function, wherein the physical structure (50) comprises a lead-zirconium titanate layer (25), and a silicon-comprising dielectric layer (27) deposited on the lead-zirconium-titanate layer (25), wherein the silicon-comprising dielectric layer (27) has a rough surface (SR), the physical structure (50) further comprising a conductive layer (30) provided on the rough surface (SR) of the silicon-comprising dielectric layer (27). The invention further relates to a method of manufacturing such semiconductor device. The invention also relates to a card, such as a smartcard, and to a RFID tag comprising such semiconductor device. The inventors have found that depositing of a silicon- comprising dielectric layer (27) on a lead-zirconium titanate layer (25) using vapor deposition results in a silicon-comprising dielectric layer (27) having a rough surface (SR). This rough surface (SR) can be used in a PUF to make a resistor (R) with a variable random value by depositing a conductive layer (30) on the rough surface (SR). Alternatively, the combination of both layers (25, 27) can be used in a PUF as composite dielectric to make a capacitor (C) with a variable random capacitance value.
摘要翻译： 本发明涉及一种半导体器件，其包括用于物理不可克隆功能的物理结构（50），其中所述物理结构（50）包括钛酸铅锆层（25）和含硅介电层（27） 沉积在铅钛酸锆层（25）上，其中含硅介电层（27）具有粗糙表面（SR），物理结构（50）还包括设置在粗糙表面上的导电层（30） （27）的硅（SR）。 本发明还涉及制造这种半导体器件的方法。 本发明还涉及诸如智能卡的卡，以及包括这种半导体器件的RFID标签。 本发明人已经发现，使用气相沉积导致含硅介电层（27）沉积在钛酸铅锆层（25）上导致具有粗糙表面（SR）的含硅介电层（27）。 通过在粗糙表面（SR）上沉积导电层（30），该粗糙表面（SR）可用于PUF中以制造具有可变随机值的电阻器（R）。 或者，两层（25,27）的组合可以用作PUF作为复合电介质，以制造具有可变随机电容值的电容器（C）。
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2.发明授权Phase change material for a phase change memory device and method for adjusting the resistivity of the material 有权用于相变存储器件的相变材料和用于调节材料的电阻率的方法公开(公告)号：US08792265B2
公开(公告)日：2014-07-29
申请号：US13266291
申请日：2010-04-29
申请人： Michael Antoine Armand In 'T Zandt , Robertus Andrianus Maria Wolters , Hendrikus Jan Wondergem
发明人： Michael Antoine Armand In 'T Zandt , Robertus Andrianus Maria Wolters , Hendrikus Jan Wondergem
CPC分类号： H01L45/1226 , H01L45/06 , H01L45/144
摘要： A phase change material for use in a phase change memory device comprises germanium-antimony-tellurium-indium, wherein the phase change material comprises in total more than 30 at % antimony, preferably 5-16 at % germanium, 30-60 at % antimony, 25-51 at % tellurium, and 2-33% at % indium.
摘要翻译： 用于相变存储器件的相变材料包括锗 - 锑 - 碲铟，其中相变材料总共包含超过30at％的锑，优选5-16at％的锗，30-60at％的锑 ，25-51at％碲和2-33％at％铟。
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公开(公告)号：US08659124B2
公开(公告)日：2014-02-25
申请号：US13141208
申请日：2009-12-21
IPC分类号： H01L29/92
CPC分类号： H01L23/576 , G06F21/73 , H01L28/55 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a semiconductor device comprising a physical structure (50) for use in a physical unclonable function, wherein the physical structure (50) comprises a lead-zirconium titanate layer (25), and a silicon-comprising dielectric layer (27) deposited on the lead-zirconium-titanate layer (25), wherein the silicon-comprising dielectric layer (27) has a rough surface (SR), the physical structure (50) further comprising a conductive layer (30) provided on the rough surface (SR) of the silicon-comprising dielectric layer (27). The invention further relates to a method of manufacturing such semiconductor device. The invention also relates to a card, such as a smartcard, and to a RFID tag comprising such semiconductor device. The inventors have found that depositing of a silicon- comprising dielectric layer (27) on a lead-zirconium titanate layer (25) using vapor deposition results in a silicon-comprising dielectric layer (27) having a rough surface (SR). This rough surface (SR) can be used in a PUF to make a resistor (R) with a variable random value by depositing a conductive layer (30) on the rough surface (SR). Alternatively, the combination of both layers (25, 27) can be used in a PUF as composite dielectric to make a capacitor (C) with a variable random capacitance value.
摘要翻译： 本发明涉及一种半导体器件，其包括用于物理不可克隆功能的物理结构（50），其中所述物理结构（50）包括钛酸铅锆层（25）和含硅介电层（27） 沉积在铅钛酸锆层（25）上，其中含硅介电层（27）具有粗糙表面（SR），物理结构（50）还包括设置在粗糙表面上的导电层（30） （27）的硅（SR）。 本发明还涉及制造这种半导体器件的方法。 本发明还涉及诸如智能卡的卡，以及包括这种半导体器件的RFID标签。 本发明人已经发现，使用气相沉积导致含硅介电层（27）沉积在钛酸铅锆层（25）上导致具有粗糙表面（SR）的含硅介电层（27）。 通过在粗糙表面（SR）上沉积导电层（30），该粗糙表面（SR）可用于PUF中以制造具有可变随机值的电阻器（R）。 或者，两层（25,27）的组合可以用作PUF作为复合电介质，以制造具有可变随机电容值的电容器（C）。
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公开(公告)号：US20100122093A1
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：US11993724
申请日：2006-07-04
CPC分类号： G06F21/34 , G06F21/33 , G06F21/73 , G07C9/00007 , H04L9/321 , H04L9/3218 , H04L9/3221 , H04L9/3234 , H04L9/3278 , H04L2209/08 , H04L2209/805
摘要： The invention relates to a method for proving authenticity of a prover PRV to a verifier VER, the method comprising generating a secret S using a physical token by the prover PRV. Obtaining a public value PV by the verifier, where the public value PV has been derived from the secret S using a function for which the inverse of said function is computationally expensive. The method further comprising a step for conducting a zero knowledge protocol between the prover PRV and the verifier VER in order to prove to the verifier VER, with a pre-determined probability, that the prover PRV has access to the physical token, where the prover PRV makes use of the secret S and the verifier VER makes use of the public value PV. The invention further relates to a system employing the method, and an object for proving authenticity.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于向验证者VER验证证明者PRV的真实性的方法，该方法包括使用证明者PRV使用物理令牌生成秘密S。 通过验证者获得公共价值PV，其中公共价值PV已经从秘密S导出，使用所述函数的倒数在计算上是昂贵的函数。 该方法还包括用于在证明者PRV和验证者VER之间进行零知识协议的步骤，以便以预先确定的概率向验证者VER证明证明者PRV可以访问物理令牌，其中证明者 PRV使用秘密S，验证者VER利用公共价值PV。 本发明还涉及采用该方法的系统和用于证明真实性的对象。
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