公开(公告)号：US20060199385A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11326433

申请日：2006-01-06

Applicant: Diana Huffaker ,  Sandy Birodavolu

Inventor： Diana Huffaker ,  Sandy Birodavolu

IPC: H01L21/44

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: A method for removing a mask in a selective area epitaxy process is provided. The method includes forming a first layer on a substrate and oxidizing the first layer. A patterned photoresist can be formed on the oxidized first layer. A portion of the oxidized first layer can then be removed using a wet chemical etch to form a mask. After removing the patterned photoresist a second layer can be epitaxially grown in a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber or a chemical beam epitaxy (CBE) chamber on a portion of the first layer exposed by the mask. The mask can then be removed the mask in the MOCVD/MBE chamber. The disclosed in-situ mask removal method minimizes both the atmospheric exposure of a growth surface and the number of sample transfers.

Abstract translation: 提供了一种在选择性区域外延工艺中去除掩模的方法。 该方法包括在衬底上形成第一层并氧化第一层。 可以在氧化的第一层上形成图案化的光致抗蚀剂。 然后可以使用湿化学蚀刻来去除氧化的第一层的一部分以形成掩模。 在去除图案化的光致抗蚀剂之后，第二层可以在由掩模暴露的第一层的一部分上的金属有机化学气相沉积（MOCVD）室或化学束外延（CBE）室中外延生长。 然后可以在MOCVD / MBE室中去除掩模。 所公开的现场掩模去除方法使生长表面的大气暴露和样品转移的数量最小化。

公开(公告)号：US07288423B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US11326433

申请日：2006-01-06

Applicant: Diana L. Huffaker ,  Sandy Birodavolu

Inventor： Diana L. Huffaker ,  Sandy Birodavolu

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: A method for removing a mask in a selective area epitaxy process is provided. The method includes forming a first layer on a substrate and oxidizing the first layer. A patterned photoresist can be formed on the oxidized first layer. A portion of the oxidized first layer can then be removed using a wet chemical etch to form a mask. After removing the patterned photoresist a second layer can be epitaxially grown in a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber or a chemical beam epitaxy (CBE) chamber on a portion of the first layer exposed by the mask. The mask can then be removed the mask in the MOCVD/MBE chamber. The disclosed in-situ mask removal method minimizes both the atmospheric exposure of a growth surface and the number of sample transfers.

Abstract translation: 提供了一种在选择性区域外延工艺中去除掩模的方法。 该方法包括在衬底上形成第一层并氧化第一层。 可以在氧化的第一层上形成图案化的光致抗蚀剂。 然后可以使用湿化学蚀刻来去除氧化的第一层的一部分以形成掩模。 在去除图案化的光致抗蚀剂之后，可以在由掩模暴露的第一层的部分上的金属有机化学气相沉积（MOCVD）室或化学束外延（CBE）室中外延生长第二层。 然后可以在MOCVD / MBE室中去除掩模。 所公开的现场掩模去除方法使生长表面的大气暴露和样品转移的数量最小化。