公开(公告)号：US20090090382A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US11868437

申请日：2007-10-05

申请人： Yoshinori Morisada ,  Seiji Okura ,  Kamal Kishore Goundar ,  Seongoh Woo ,  Kiyoshi Satoh

发明人： Yoshinori Morisada ,  Seiji Okura ,  Kamal Kishore Goundar ,  Seongoh Woo ,  Kiyoshi Satoh

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： B08B7/0035 ,  C23C16/4405

摘要： A method of self-cleaning a plasma reactor upon depositing a carbon-based film on a substrate a pre-selected number of times, includes: (i) exciting oxygen gas and/or nitrogen oxide gas to generate a plasma; and (ii) exposing to the plasma a carbon-based film accumulated on an upper electrode provided in the reactor and a carbon-based film accumulated on an inner wall of the reactor.

摘要翻译： 包括：（i）激发氧气和/或氮氧化物气体以产生等离子体;在基板上沉积碳基膜时自动清洗等离子体反应器的方法， 和（ii）将等离子体暴露于聚集在反应器中的上电极上的碳基膜和积聚在反应器内壁上的碳基膜。