公开(公告)号：US06975184B2

公开(公告)日：2005-12-13

申请号：US10448915

申请日：2003-05-30

申请人： Li-Peng Wang ,  Michael Dibattista ,  Seth Fortuna ,  Qing Ma ,  Valluri Rao

发明人： Li-Peng Wang ,  Michael Dibattista ,  Seth Fortuna ,  Qing Ma ,  Valluri Rao

IPC分类号： H03H3/04 ,  H03H9/17 ,  H03H9/00

CPC分类号： H03H3/04 ,  H03H2003/0428 ,  H03H2003/0435

摘要： A material may be removed from the top electrode of a film bulk acoustic resonator to alter the mass loading effect and to adjust the frequency of one film bulk acoustic resonator on a wafer relative to other resonators on the same wafer. Similarly, the piezoelectric layer or the bottom electrode may be selectively milled with a focused ion beam to trim the resonator.

摘要翻译： 可以从膜体声波谐振器的顶部电极去除材料以改变质量负载效应并且调整晶片上相对于同一晶片上的其它谐振器的一个膜体声波谐振器的频率。 类似地，可以用聚焦离子束选择性地研磨压电层或底部电极以修整谐振器。