公开(公告)号：US5903038A

公开(公告)日：1999-05-11

申请号：US885266

申请日：1997-06-30

申请人： Zuoying Lisa Zhang ,  Shang-Hui Larry Tu ,  Guang Xuan Li

发明人： Zuoying Lisa Zhang ,  Shang-Hui Larry Tu ,  Guang Xuan Li

IPC分类号： G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/18 ,  H01L29/84 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L29/84 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/124 ,  G01P15/18

摘要： A semiconductor sensing device (10) for sensing a lateral acceleration includes a field effect transistor (132) fabricated along a sidewall (114) of a trench (112) formed in a substrate (11). A movable gate (12) overlies a channel region (138) of the field effect transistor (132). In response to a lateral acceleration perpendicular to the sidewall (114) of the trench (112), the movable gate (12) moves relative to the substrate (11) in a direction substantially perpendicular to the sidewall (114). The conductive state of the channel region (138) depends on the distance between the movable gate (12) and the channel region (138) and changes in response to the lateral acceleration Thus, the motion of the movable gate (12) modulates a current flowing in the field effect transistor (132). The lateral acceleration is sensed by sensing the current flowing in the field effect transistor (132).

摘要翻译： 用于感测横向加速度的半导体感测装置（10）包括沿着形成在基板（11）中的沟槽（112）的侧壁（114）制造的场效应晶体管（132）。 可动栅极（12）覆盖场效应晶体管（132）的沟道区域（138）。 响应于垂直于沟槽（112）的侧壁（114）的横向加速度，可移动门（12）在基本上垂直于侧壁（114）的方向上相对于基板（11）移动。 沟道区域（138）的导电状态取决于可移动栅极（12）和沟道区域（138）之间的距离并且响应于横向加速度而改变。因此，可移动栅极（12）的运动调制电流 在场效应晶体管（132）中流动。 通过感测在场效应晶体管（132）中流动的电流来感测横向加速度。