公开(公告)号：US5903038A

公开(公告)日：1999-05-11

申请号：US885266

申请日：1997-06-30

申请人： Zuoying Lisa Zhang ,  Shang-Hui Larry Tu ,  Guang Xuan Li

发明人： Zuoying Lisa Zhang ,  Shang-Hui Larry Tu ,  Guang Xuan Li

IPC分类号： G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/18 ,  H01L29/84 ,  H01L29/82

CPC分类号： H01L29/84 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/124 ,  G01P15/18

摘要： A semiconductor sensing device (10) for sensing a lateral acceleration includes a field effect transistor (132) fabricated along a sidewall (114) of a trench (112) formed in a substrate (11). A movable gate (12) overlies a channel region (138) of the field effect transistor (132). In response to a lateral acceleration perpendicular to the sidewall (114) of the trench (112), the movable gate (12) moves relative to the substrate (11) in a direction substantially perpendicular to the sidewall (114). The conductive state of the channel region (138) depends on the distance between the movable gate (12) and the channel region (138) and changes in response to the lateral acceleration Thus, the motion of the movable gate (12) modulates a current flowing in the field effect transistor (132). The lateral acceleration is sensed by sensing the current flowing in the field effect transistor (132).

摘要翻译： 用于感测横向加速度的半导体感测装置（10）包括沿着形成在基板（11）中的沟槽（112）的侧壁（114）制造的场效应晶体管（132）。 可动栅极（12）覆盖场效应晶体管（132）的沟道区域（138）。 响应于垂直于沟槽（112）的侧壁（114）的横向加速度，可移动门（12）在基本上垂直于侧壁（114）的方向上相对于基板（11）移动。 沟道区域（138）的导电状态取决于可移动栅极（12）和沟道区域（138）之间的距离并且响应于横向加速度而改变。因此，可移动栅极（12）的运动调制电流 在场效应晶体管（132）中流动。 通过感测在场效应晶体管（132）中流动的电流来感测横向加速度。

公开(公告)号：US5824565A

公开(公告)日：1998-10-20

申请号：US608790

申请日：1996-02-29

申请人： Guang Xuan Li ,  Zuoying Lisa Zhang ,  Frank A. Shemansky, Jr.

发明人： Guang Xuan Li ,  Zuoying Lisa Zhang ,  Frank A. Shemansky, Jr.

IPC分类号： G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

摘要： A method of fabricating a sensor (100) includes providing a substrate (200), providing a stationary comb structure (117, 118) overlying the substrate (200), providing a movable seismic mass (101) overlying the substrate (200) and movable relative to the substrate (200) and the stationary comb structure (117, 118), and providing a dielectric layer (500, 800) between the stationary comb structure (117, 118) and the movable seismic mass (101). The dielectric layer (500) increases the sensitivity of the sensor (100) and also prevents the movable seismic mass (101) from shorting together with the stationary comb structure (117, 118).

摘要翻译： 一种制造传感器（100）的方法包括提供衬底（200），提供覆盖衬底（200）的固定梳结构（117,118），提供覆盖衬底（200）的可移动地震质量（101） 相对于基板（200）和固定梳状结构（117,118），并且在固定梳结构（117,118）和可移动地震块（101）之间提供介电层（500,800）。 电介质层（500）增加了传感器（100）的灵敏度，并且还防止可动地震质量（101）与固定梳结构（117,118）一起短路。

公开(公告)号：US06215645B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：US09071623

申请日：1998-05-01

申请人： Guang Xuan Li ,  Frank A. Shemansky, Jr. ,  Ronald James Gutteridge ,  Daniel N. Koury, Jr. ,  Zuoying Lisa Zhang

发明人： Guang Xuan Li ,  Frank A. Shemansky, Jr. ,  Ronald James Gutteridge ,  Daniel N. Koury, Jr. ,  Zuoying Lisa Zhang

IPC分类号： H01G700

CPC分类号： B81B3/0072 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125

摘要： A differential capacitor structure (10) formed overlying a substrate (12) having a middle layer (24) disposed between a lower layer (18) and an upper layer (28). The lower layer (18) is a static layer that is formed on the substrate (12), the middle layer (24) has a moveable component and is a dynamic layer attached to the substrate (12) using semi-circular tether supports (42), and the upper layer is a static layer that is anchored to the substrate (12). The semi-circular tether supports (42) are formed from a homogeneous material and provide structural stiffness to support the middle layer (24) in space and also provide stress relief.

摘要翻译： 一种形成在衬底（12）上的差分电容器结构（10），该衬底具有设置在下层（18）和上层（28）之间的中间层（24）。 下层（18）是形成在基板（12）上的静电层，中间层（24）具有可移动部件，并且是使用半圆形系绳支架（42）附接到基板（12）的动态层 ），并且上层是锚定到基底（12）的静止层。 半圆形系绳支撑件（42）由均质材料形成并提供结构刚度以在空间中支撑中间层（24）并且还提供应力消除。