公开(公告)号：US06316159B1

公开(公告)日：2001-11-13

申请号：US09608604

申请日：2000-06-30

申请人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin

发明人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/0397 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115

摘要： A chemical amplified photoresist composition comprising a photosensitive polymer containing the following structure unit of formula (II): Wherein R is hydrogen or C1-C4 alkyl group; R′ is C1-C4 alkyl group; n is an integer of 2, 3, 4, 5 or 6. This chemical amplified photoresist composition can be applied to general lithography processes, especially in 193 nm lithography and the patterns formed from the photoresist exhibit excellent resolution and photosensitivity.

摘要翻译： 一种化学放大光致抗蚀剂组合物，其包含含有下列式（II）结构单元的光敏聚合物：其中R为氢或C 1 -C 4烷基; R'是C 1 -C 4烷基; n是2,3,4,5或6的整数。该化学放大光致抗蚀剂组合物可以应用于一般光刻工艺，特别是在193nm光刻中，并且由光致抗蚀剂形成的图案表现出优异的分辨率和光敏性。

公开(公告)号：US06265131B1

公开(公告)日：2001-07-24

申请号：US09541498

申请日：2000-04-03

申请人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin ,  Wen-Chieh Wang

发明人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin ,  Wen-Chieh Wang

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： C07C69/757 ,  C07C2603/86 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/109

摘要： A positive photoresist composition comprising a polymer, a photoactived agent and an dissolution inhibitor represented by the following formula (1): wherein R1 and R2 each independently is a hydroxyl group, a C1-8 hydroxyalkyl group, or a C3-8 hydroxycycloalkyl group; R3, R4 and R5 each independently is a hydrogen, a C1-8 hydroxyalkyl group, a C1-6 carboxylic acid or a C3-8 carboxylic acid ester; k is an integer of 0, 1, 2, 3, 4, 5 or 6. The photoresist composition has high transparency to deep UV light and is capable of forming good fine patterns, roughness and high sensitivity, thus being useful as a chemically amplified type resist when exposed to deep UV light from an KrF and ArF excimer laser.

摘要翻译： 一种正型光致抗蚀剂组合物，其包含聚合物，光活化剂和由下式（1）表示的溶解抑制剂：其中R1和R2各自独立地为羟基，C1-8羟基烷基或C3-8羟基环烷基; R 3，R 4和R 5各自独立地为氢，C 1-8羟基烷基，C 1-6羧酸或C 3-8羧酸酯; k为0,1,2,3,4,5或6的整数。光致抗蚀剂组合物对深紫外光具有高透明度，并且能够形成良好的精细图案，粗糙度和高灵敏度，因此可用作化学放大 当暴露于来自KrF和ArF准分子激光器的深紫外光下时，抗蚀剂。

公开(公告)号：US06376700B1

公开(公告)日：2002-04-23

申请号：US09608601

申请日：2000-06-30

申请人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin ,  Wen-Chieh Wang

发明人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin ,  Wen-Chieh Wang

IPC分类号： C07C6974

CPC分类号： C07C69/757 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/86 ,  C07C2603/90 ,  C08F220/18 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： An alicyclic compound of the formula (1) is disclosed: wherein R1 and R2 each independently is a hydroxyl group, a C1-8 hydroxyalkyl group, or a C3-8 hydroxycycloalkyl group; R3, R4 and R5 each independently is a hydrogen, a C1-8 hydroxyalkyl group, a C1-6 carboxylic acid or a C3-8 carboxylic acid ester; k is an integer of 0, 1, 2, 3, 4, 5 or 6. The compound of the formula (1) can be applied to dissolution inhibitors for preparing positive photoresist composition.

摘要翻译： 公开了式（1）的脂环族化合物：其中R1和R2各自独立地是羟基，C1-8羟基烷基或C3-8羟基环烷基; R 3，R 4和R 5各自独立地为氢，C 1-8羟基烷基，C 1-6羧酸或C 3-8羧酸酯; k是0,1,2,3,4,5或6的整数。式（1）的化合物可以用于制备正性光致抗蚀剂组合物的溶解抑制剂。

公开(公告)号：US06294309B1

公开(公告)日：2001-09-25

申请号：US09607943

申请日：2000-06-30

申请人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin ,  Wen-Chieh Wang

发明人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin ,  Wen-Chieh Wang

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/039 ,  C07C69/757 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/86 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/111

摘要： A positive photoresist composition comprising a polymer, a photoactived agent and an dissolution inhibitor represented by the following formula (1): wherein R1, R2, R3, R4, R5 and k are defined in the specification. The photoresist composition of the present invention is useful as a chemically amplified type resist when exposed to deep UV light from a KrF and ArF excimer laser.

摘要翻译： 一种正型光致抗蚀剂组合物，其包含聚合物，光活化剂和由下式（1）表示的溶解抑制剂：其中R1，R2，R3，R4，R5和k在本说明书中定义。 当暴露于来自KrF和ArF准分子激光器的深紫外光时，本发明的光致抗蚀剂组合物可用作化学放大型抗蚀剂。

公开(公告)号：US06441115B1

公开(公告)日：2002-08-27

申请号：US09608602

申请日：2000-06-30

申请人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin

发明人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin

IPC分类号： C08F22010

CPC分类号： C08F222/06 ,  C08F220/18 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0397

摘要： The present invention provides a photosensitive polymer containing the following structure unit of formula (II): Wherein R is hydrogen or C1-C4 alkyl group; R′ is C1-C4 alkyl group; n is an integer of 2, 3, 4, 5 or 6. This photosensitive polymer also relates to chemical amplified photoresist composition. This chemical amplified photoresist composition can be applied to general lithography processes, especially in 193 nm lithography and the patterns formed from the photoresist composition exhibit excellent resolution and photosensitivity.

摘要翻译： 本发明提供含有下列式（II）结构单元的光敏聚合物：其中R是氢或C 1 -C 4烷基; R'是C 1 -C 4烷基; n为2,3,4,5或6的整数。该光敏聚合物还涉及化学放大光致抗蚀剂组合物。 该化学放大光致抗蚀剂组合物可以应用于一般光刻工艺，特别是在193nm光刻中，并且由光致抗蚀剂组合物形成的图案显示出优异的分辨率和光敏性。

公开(公告)号：US06271412B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：US09608603

申请日：2000-06-30

申请人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin

发明人： Shang-Wern Chang ,  Yen-Cheng Li ,  Shang-Ho Lin

IPC分类号： C07C6952

CPC分类号： C07C69/54 ,  C07C2603/68 ,  G03F7/0397 ,  Y10T428/31507

摘要： This invention provides a compound of the formula (I): wherein R is hydrogen or C1-C4 alkyl group; R′ is C1-C4 alkyl group; n is an integer of 2, 3, 4, 5 or 6. The compound of formula (I) can be polymerized or copolymerized to form a photosensitive polymer or copolymer.

摘要翻译： 本发明提供式（I）的化合物：其中R是氢或C 1 -C 4烷基; R'是C 1 -C 4烷基; n为2，3，4，5或6的整数。式（I）化合物可以聚合或共聚以形成光敏聚合物或共聚物。