公开(公告)号：US20110158845A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US13002892

申请日：2009-03-13

申请人： Shigeki Tokuchi ,  Ryoma Tsukuda ,  Tomoyasu Yano ,  Yoshinori Matsuura ,  Takashi Kubota

发明人： Shigeki Tokuchi ,  Ryoma Tsukuda ,  Tomoyasu Yano ,  Yoshinori Matsuura ,  Takashi Kubota

IPC分类号： C22C21/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： C22C21/00 ,  C23C14/185 ,  H01B1/023

摘要： To provide an Al—Ni alloy wiring electrode material, which has flexibility suitable for organic EL, can be directly bonded to a transparent electrode layer of ITO or the like, and is excellent in corrosion resistance against developers. An Al—Ni alloy wiring electrode material containing aluminum, nickel and boron, wherein the material contains a total of 0.35 at % to 1.2 at % of nickel and boron with the balance being aluminum. It is also preferred that the Al—Ni alloy wiring electrode material contain 0.3 at % to 0.7 at % of nickel and 0.05 at % to 0.5 at % of boron.

摘要翻译： 为了提供具有适合于有机EL的柔性的Al-Ni合金布线电极材料，可以直接接合到ITO等的透明电极层上，并且对显影剂的耐腐蚀性优异。 含有铝，镍和硼的Al-Ni合金布线电极材料，其中所述材料含有总共为0.35at％至1.2at％的镍和硼，余量为铝。 还优选的是，所述Al-Ni合金布线电极材料含有0.3at％至0.7at％的镍和0.05at％至0.5at％的硼。

公开(公告)号：US20100244032A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12751136

申请日：2010-03-31

申请人： Pil Sang YUN ,  Byeong-Beom KIM ,  Changoh JEONG ,  Yangho BAE ,  Shigeki TOKUCHI ,  Ryoma TSUKUDA ,  Yoshinori MATSUURA ,  Takashi KUBOTA

发明人： Pil Sang YUN ,  Byeong-Beom KIM ,  Changoh JEONG ,  Yangho BAE ,  Shigeki TOKUCHI ,  Ryoma TSUKUDA ,  Yoshinori MATSUURA ,  Takashi KUBOTA

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/4908

摘要： An Aluminum-Nickel alloy wiring material includes Aluminum, Nickel, Cerium, and Boron. A thin film transistor includes the Aluminum-Nickel alloy wiring material. A sputtering target comprises Aluminum, Nickel, Cerium and Boron. A method of manufacturing a thin film transistor substrate comprises disposing a thin film transistor on a substrate, wherein the thin film transistor includes a wiring circuit layer comprising Aluminum, Nickel, Cerium, and Boron. The Nickel, Cerium and Boron satisfy the following inequalities; 0.5≦X≦5.0, 0.01≦Y≦1.0, and 0.01≦Z≦1.0, respectively, wherein X represents an atomic percentage of Nickel content, Y represents an atomic percentage of Cerium content, and Z represents an atomic percentage of Boron content.

摘要翻译： 铝 - 镍合金布线材料包括铝，镍，铈和硼。 薄膜晶体管包括铝 - 镍合金布线材料。 溅射靶包括铝，镍，铈和硼。 制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上设置薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括包括铝，镍，铈和硼的布线电路层。 镍，铈和硼满足以下不平等： 其中X表示镍含量的原子百分数，Y表示铈含量的原子百分比，Z表示原子百分数，Z表示原子百分数，X表示原子百分数， 硼含量。