公开(公告)号：US5861345A

公开(公告)日：1999-01-19

申请号：US924904

申请日：1997-09-08

申请人： Chin-hao Chou ,  Yu-Chen Yang ,  Shing-Hsiang Hung

发明人： Chin-hao Chou ,  Yu-Chen Yang ,  Shing-Hsiang Hung

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002

摘要： An in situ inter-dielectric process is disclosed for forming multilevel metal structures. The process includes the steps of:(1) forming an SOG layer on an uneven semiconductor surface,(2) treating a surface of the SOG layer with a plasma in a PECVD chamber, and(3) forming a PECVD oxide layer on the treated surface in the same PECVD chamber.The operating parameters for performing the in situ treatment are as follows:______________________________________Gas: N.sub.2 O or C.sub.2 F.sub.6Pressure: 4-6 TorrTemperature: 300-400.degree. C.Power: 200-400 WattsGap: 300-800 milFlow: 500-1500 sccmTime: 5-15 sec______________________________________Thus, the treatment can be performed in the same PECVD chamber used to form a PECVD oxide layer on the treated SOG layer.Furthermore, the SOG layer surface may be oxidized to produce an organic deficient SiO.sub.x layer at the surface of the SOG layer prior to performing the treatment step (2).

摘要翻译： 公开了用于形成多层金属结构的原位介电过程。 该方法包括以下步骤：（1）在不均匀的半导体表面上形成SOG层，（2）在PECVD室中用等离子体处理SOG层的表面，以及（3）在被处理的层上形成PECVD氧化物层 在同一PECVD室中的表面。 用于进行原位处理的操作参数如下： - 气体：N2O或C2F6 - 压力：4-6乇 - 温度：300-400℃ - 功率：200-400瓦 - 间隙：300-800密耳 - 流量：500-1500sccm - 时间：5-15秒 - 因此，处理可以在用于在经处理的SOG层上形成PECVD氧化物层的相同PECVD室中进行。 此外，在进行处理步骤（2）之前，SOG层表面可以被氧化以在SOG层的表面处产生有机缺陷SiO x层。