公开(公告)号：US5936258A

公开(公告)日：1999-08-10

申请号：US632153

申请日：1996-04-15

申请人： Kenichi Imamura ,  Shun-ichi Muto ,  Naoto Horiguchi ,  Yoshihiro Sugiyama ,  Yoshiaki Nakata

发明人： Kenichi Imamura ,  Shun-ichi Muto ,  Naoto Horiguchi ,  Yoshihiro Sugiyama ,  Yoshiaki Nakata

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C13/04 ,  H01L29/12 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/10 ,  H01L31/105

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11C13/04 ,  G11C7/005 ,  H01L29/127 ,  G11C2216/08

摘要： A wavelength-domain-multiplication memory comprises a first semiconductor layer including a first conductivity type impurity, a carrier barrier semiconductor layer formed on the first semiconductor layer, and quantum dots formed in the carrier barrier semiconductor layer.

摘要翻译： 波长域倍增存储器包括第一半导体层，包括第一导电型杂质，形成在第一半导体层上的载流子阻挡半导体层，以及形成在载流子阻挡半导体层中的量子点。