公开(公告)号：US5792672A

公开(公告)日：1998-08-11

申请号：US618891

申请日：1996-03-20

申请人： Lap Chan ,  Simon Chooi Yen Meng ,  Tony Chan

发明人： Lap Chan ,  Simon Chooi Yen Meng ,  Tony Chan

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/311 ,  H01L21/465

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/427

摘要： An improved method for removing a photoresist mask from an etched aluminum pattern after etching the pattern in a chlorine containing plasma has been created. The method is a two step process, in which a first stripping step is in a plasma containing O.sub.2 and H.sub.2 O and a second stripping step is in a plasma containing O.sub.2.

摘要翻译： 已经产生了一种用于在含氯等离子体中蚀刻图案之后从蚀刻铝图案去除光致抗蚀剂掩模的改进方法。 该方法是两步法，其中第一汽提步骤在含有O 2和H 2 O的等离子体中，第二汽提步骤在含有O 2的等离子体中。