公开(公告)号：US07532120B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11459085

申请日：2006-07-21

申请人： Leonardo W. Estevez ,  Steven C. Lazar, Jr. ,  Carl M. Panasik

发明人： Leonardo W. Estevez ,  Steven C. Lazar, Jr. ,  Carl M. Panasik

IPC分类号： G08B13/14

CPC分类号： G06K19/0723 ,  G06K19/0707 ,  G06K19/0716

摘要： A radio frequency identification (RFID) tag comprises a transceiver and a component coupled to the transceiver. The transceiver is adapted to wirelessly receive power from an RFID reader and/or from a mobile communication device. The power received from the mobile communication device is used to power the component, providing an alternative power source (cellular beacons) that uses no additional handset power.

摘要翻译： 射频识别（RFID）标签包括收发器和耦合到收发器的部件。 收发器适于从RFID读取器和/或从移动通信设备无线地接收电力。 从移动通信设备接收的功率用于为组件供电，提供不使用附加手机功率的备用电源（蜂窝信标）。

公开(公告)号：US4890069A

公开(公告)日：1989-12-26

申请号：US161650

申请日：1988-02-29

申请人： Joseph M. Duffalo ,  Steven C. Lazar, Jr.

发明人： Joseph M. Duffalo ,  Steven C. Lazar, Jr.

IPC分类号： H03F3/193

CPC分类号： H03F3/193 ,  H01L2223/665

摘要： A gallium arsenide monolithic microwave integrated circuit amplifier comprising a first stage having a common gate field effect transistor to provide matching of the input impedance, a second stage having a common source field effect transistor to provide class A gain, and a third stage having a common source open drain field effect transistor to provide class B gain for the amplifier. This monolithic integrated circuit amplifier provides a gain of greater than 25 decibels over a frequency band of 400 Hz-1.5 GHz.

摘要翻译： 一种砷化镓单片微波集成电路放大器，包括具有公共栅极场效应晶体管以提供输入阻抗匹配的第一级，具有公共源极场效应晶体管以提供A类增益的第二级，以及具有共同的第三级 源极开漏场效应晶体管，为放大器提供B类增益。 该单片集成电路放大器在400Hz-1.5GHz的频带上提供大于25分贝的增益。

公开(公告)号：US4870478A

公开(公告)日：1989-09-26

申请号：US184213

申请日：1988-04-21

申请人： Charles E. Weitzel ,  Lalgudi M. G. Sundaram ,  Steven C. Lazar, Jr.

发明人： Charles E. Weitzel ,  Lalgudi M. G. Sundaram ,  Steven C. Lazar, Jr.

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/8124

摘要： A dual-gate gallium arsenide power MESFET chip comprising a source region surrounded by a first gate, a second surrounding the first gate, a drain region juxtaposed to said second gate, and a shorting bar which couples the second gate to the source region. This combination, used in a multi-fingered application, provides a reverse breakdown voltage substantially higher than prior art devices.

摘要翻译： 一种双栅极砷化镓电源MESFET芯片，包括由第一栅极围绕的源极区域，围绕第一栅极的第二栅极，与所述第二栅极并置的漏极区域以及将第二栅极耦合到源极区域的短路棒。 用于多指应用的这种组合提供了比现有技术的装置大得多的反向击穿电压。