公开(公告)号：US6022766A

公开(公告)日：2000-02-08

申请号：US797904

申请日：1997-02-10

申请人： Bomy Able Chen ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Jerome Brett Lasky ,  Randy William Mann ,  Edward Joseph Nowak ,  Werner Alois Rausch ,  Francis Roger White

发明人： Bomy Able Chen ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Jerome Brett Lasky ,  Randy William Mann ,  Edward Joseph Nowak ,  Werner Alois Rausch ,  Francis Roger White

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/11 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1108 ,  H01L27/0688 ,  H01L2924/0002

摘要： An improved field effect transistor (FET) structure is disclosed. It comprises a first insulator layer containing at least one primary level stud extending through the layer; an undoped cap oxide layer disposed over the insulator layer and abutting the upper region of each stud; a primary level thin film transistor (TFT) disposed over the undoped cap oxide layer; and a planarized oxide layer disposed over the TFT. Multiple TFT's can be stacked vertically, and connected to other levels of studs and metal interconnection layers. Another embodiment of the invention includes the use of a protective interfacial cap over the surface of tungsten-type studs. The FET structure can serve as a component of a static random access memory (SRAM) cell. Related processes are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种改进的场效应晶体管（FET）结构。 它包括第一绝缘体层，其包含延伸穿过该层的至少一个主级螺柱; 设置在绝缘体层上并与每个螺柱的上部区域邻接的未掺杂的帽氧化物层; 设置在未掺杂的帽氧化物层上的初级级薄膜晶体管（TFT）; 以及设置在TFT上的平坦化氧化物层。 多个TFT可以垂直堆叠，并连接到其他级别的螺柱和金属互连层。 本发明的另一个实施例包括在钨型螺柱的表面上使用保护性界面盖。 FET结构可以用作静态随机存取存储器（SRAM）单元的组件。 还公开了相关过程。

公开(公告)号：US5757050A

公开(公告)日：1998-05-26

申请号：US823360

申请日：1997-03-24

申请人： Eric Adler ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Randy William Mann ,  Werner Alois Rausch ,  Luigi Ternullo, Jr.

发明人： Eric Adler ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Randy William Mann ,  Werner Alois Rausch ,  Luigi Ternullo, Jr.

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1108 ,  Y10S257/903

摘要： Improved field effect transistor (FET) structures are described. They include a thin film transistor (TFT), wherein a contact layer directly connects a diffusion region of the TFT to an active site of another device, e.g., another transistor. This invention is especially suitable for TFT's which are built on one or more conductive studs. Static random access memory (SRAM) cells incorporating one or more of the TFT's are also described. Moreover, this invention is directed to methods for preventing or alleviating the problems associated with gouging during formation of contact layers.

摘要翻译： 描述了改进的场效应晶体管（FET）结构。 它们包括薄膜晶体管（TFT），其中接触层将TFT的扩散区域直接连接到另一个器件（例如另一晶体管）的有源部位。 本发明特别适用于建立在一个或多个导电柱上的TFT。 还描述了并入TFT中的一个或多个的静态随机存取存储器（SRAM）单元。 此外，本发明涉及用于防止或减轻在形成接触层期间与气刨相关的问题的方法。

公开(公告)号：US5744384A

公开(公告)日：1998-04-28

申请号：US716001

申请日：1996-09-19

申请人： Eric Adler ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Randy William Mann ,  Werner Alois Rausch ,  Luigi Ternullo, Jr.

发明人： Eric Adler ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Randy William Mann ,  Werner Alois Rausch ,  Luigi Ternullo, Jr.

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1108 ,  Y10S257/903

摘要： Improved field effect transistor (FET) structures are described. They include a thin film transistor (TFT), wherein a contact layer directly connects a diffusion region of the TFT to an active site of another device, e.g., another transistor. This invention is especially suitable for TFT's which are built on one or more conductive studs. Static random access memory (SRAM) cells incorporating one or more of the TFT's are also described. Moreover, this invention is directed to methods for preventing or alleviating the problems associated with gouging during formation of contact layers.

摘要翻译： 描述了改进的场效应晶体管（FET）结构。 它们包括薄膜晶体管（TFT），其中接触层将TFT的扩散区域直接连接到另一个器件（例如另一晶体管）的有源部位。 本发明特别适用于建立在一个或多个导电柱上的TFT。 还描述了并入TFT中的一个或多个的静态随机存取存储器（SRAM）单元。 此外，本发明涉及用于防止或减轻在形成接触层期间与气刨相关的问题的方法。

公开(公告)号：US5670812A

公开(公告)日：1997-09-23

申请号：US536725

申请日：1995-09-29

申请人： Eric Adler ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Randy William Mann ,  Werner Alois Rausch ,  Luigi Ternullo, Jr.

发明人： Eric Adler ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Randy William Mann ,  Werner Alois Rausch ,  Luigi Ternullo, Jr.

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1108 ,  Y10S257/903

摘要： Improved field effect transistor (FET) structures are described. They include a thin film transistor (TFT), wherein a contact layer directly connects a diffusion region of the TFT to an active site of another device, e.g., another transistor. This invention is especially suitable for TFT's which are built on one or more conductive studs. Static random access memory (SRAM) cells incorporating one or more of the TFT's are also described. Moreover, this invention is directed to methods for preventing or alleviating the problems associated with gouging during formation of contact layers.

摘要翻译： 描述了改进的场效应晶体管（FET）结构。 它们包括薄膜晶体管（TFT），其中接触层将TFT的扩散区域直接连接到另一个器件（例如另一晶体管）的有源部位。 本发明特别适用于建立在一个或多个导电柱上的TFT。 还描述了并入TFT中的一个或多个的静态随机存取存储器（SRAM）单元。 此外，本发明涉及用于防止或减轻在形成接触层期间与气刨相关的问题的方法。

公开(公告)号：US5675185A

公开(公告)日：1997-10-07

申请号：US537219

申请日：1995-09-29

申请人： Bomy Able Chen ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Jerome Bret Lasky ,  Randy William Mann ,  Edward Joseph Nowak ,  Werner Alois Rausch ,  Francis Roger White

发明人： Bomy Able Chen ,  Subhash Balakrishna Kulkarni ,  Jerome Bret Lasky ,  Randy William Mann ,  Edward Joseph Nowak ,  Werner Alois Rausch ,  Francis Roger White

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/11 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L27/1108 ,  H01L27/0688 ,  H01L2924/0002

摘要： An improved field effect transistor (FET) structure is disclosed. It comprises a first insulator layer containing at least one primary level stud extending through the layer; an undoped cap oxide layer disposed over the insulator layer and abutting the upper region of each stud; a primary level thin film transistor (TFT) disposed over the undoped cap oxide layer; and a planarized oxide layer disposed over the TFT. Multiple TFT's can be stacked vertically, and connected to other levels of studs and metal interconnection layers. Another embodiment of the invention includes the use of a protective interfacial cap over the surface of tungsten-type studs. The FET structure can serve as a component of a static random access memory (SRAM) cell. Related processes are also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种改进的场效应晶体管（FET）结构。 它包括第一绝缘体层，其包含延伸穿过该层的至少一个主级螺柱; 设置在绝缘体层上并与每个螺柱的上部区域邻接的未掺杂的帽氧化物层; 设置在未掺杂的帽氧化物层上的初级级薄膜晶体管（TFT）; 以及设置在TFT上的平坦化氧化物层。 多个TFT可以垂直堆叠，并连接到其他级别的螺柱和金属互连层。 本发明的另一个实施例包括在钨型螺柱的表面上使用保护性界面盖。 FET结构可以用作静态随机存取存储器（SRAM）单元的组件。 还公开了相关过程。