公开(公告)号：US20120010839A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13237823

申请日：2011-09-20

申请人： Evan McCarthy ,  John Walley ,  Jeon Hyung-Gyu ,  Amir Ibrahim ,  Sunil Kanekal ,  Jared Welz

发明人： Evan McCarthy ,  John Walley ,  Jeon Hyung-Gyu ,  Amir Ibrahim ,  Sunil Kanekal ,  Jared Welz

IPC分类号： G06F19/00 ,  G01K13/00 ,  G01K11/00

CPC分类号： G01R19/2506 ,  G01K7/32

摘要： Aspects of the invention may comprise an integrated circuit comprising a memory, a temperature sensor, a crystal, and a communication module. Data stored in the memory may indicate a frequency of the crystal as a function of temperature and/or time. The memory may be writable via the communication module. Data stored in the memory of the integrated circuit may be updated based on an age and/or time of use of the integrated circuit. The time of use may be one or both of: how long the crystal has been oscillating since its most-recent start up, and how long the crystal has been in use over its lifetime. An electronic device may calculate a frequency of an oscillating signal output by the crystal based on a temperature indication from the temperature sensor and data read from the memory of the integrated circuit.

摘要翻译： 本发明的方面可以包括包括存储器，温度传感器，晶体和通信模块的集成电路。 存储在存储器中的数据可以指示晶体的频率作为温度和/或时间的函数。 存储器可以通过通信模块写入。 可以基于集成电路的使用年龄和/或使用时间来更新存储在集成电路的存储器中的数据。 使用时间可以是以下之一或两者：自其最近启动以来晶体已经振荡多久，以及晶体在其使用寿命中多长时间。 电子设备可以基于来自温度传感器的温度指示和从集成电路的存储器读取的数据来计算晶体输出的振荡信号的频率。

公开(公告)号：US08024145B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12364046

申请日：2009-02-02

申请人： Evan McCarthy ,  John Walley ,  Hyun-Gyu Jeon ,  Amir Ibrahim ,  Sunil Kanekal ,  Jared Welz

发明人： Evan McCarthy ,  John Walley ,  Hyun-Gyu Jeon ,  Amir Ibrahim ,  Sunil Kanekal ,  Jared Welz

IPC分类号： G06F19/00 ,  H03C1/62 ,  G01K1/00

CPC分类号： G01R19/2506 ,  G01K7/32

摘要： Aspects of a method and system for signal generation via a temperature sensing crystal integrated circuit are provided. In this regard, a temperature sensing crystal integrated circuit (TSCIC) comprising a memory and a crystal or crystal oscillator may generate a signal indicative of a measured temperature. The generated signal and data stored in the memory may be utilized to configure one or more circuits communicatively coupled to the TSCIC. The data stored in the memory may characterize behavior of the TSCIC as a function of temperature and/or time. The data characterizing the behavior of the TSCIC may indicate variations in frequency of the crystal or crystal oscillator as a function of temperature and/or time. The data characterizing the behavior of the TSCIC may comprise one or both of a frequency value and a frequency correction value.

摘要翻译： 提供了通过温度感测晶体集成电路产生信号的方法和系统的方面。 在这方面，包括存储器和晶体或晶体振荡器的温度感测晶体集成电路（TSCIC）可以产生指示测量温度的信号。 存储在存储器中的产生的信号和数据可以用于配置通信地耦合到TSCIC的一个或多个电路。 存储在存储器中的数据可以表征作为温度和/或时间的函数的TSCIC的行为。 表征TSCIC行为的数据可以指示作为温度和/或时间的函数的晶体或晶体振荡器的频率的变化。 表征TSCIC的行为的数据可以包括频率值和频率校正值中的一个或两个。

公开(公告)号：US08566061B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US13237823

申请日：2011-09-20

申请人： Evan McCarthy ,  John Walley ,  Jeon Hyun-Gyu ,  Amir Ibrahim ,  Sunil Kanekal ,  Jared Welz

发明人： Evan McCarthy ,  John Walley ,  Jeon Hyun-Gyu ,  Amir Ibrahim ,  Sunil Kanekal ,  Jared Welz

IPC分类号： G06F19/00 ,  H03C1/62

CPC分类号： G01R19/2506 ,  G01K7/32

摘要： Aspects of the invention may comprise an integrated circuit comprising a memory, a temperature sensor, a crystal, and a communication module. Data stored in the memory may indicate a frequency of the crystal as a function of temperature and/or time. The memory may be writable via the communication module. Data stored in the memory of the integrated circuit may be updated based on an age and/or time of use of the integrated circuit. The time of use may be one or both of: how long the crystal has been oscillating since its most-recent start up, and how long the crystal has been in use over its lifetime. An electronic device may calculate a frequency of an oscillating signal output by the crystal based on a temperature indication from the temperature sensor and data read from the memory of the integrated circuit.

摘要翻译： 本发明的方面可以包括包括存储器，温度传感器，晶体和通信模块的集成电路。 存储在存储器中的数据可以指示晶体的频率作为温度和/或时间的函数。 存储器可以通过通信模块写入。 可以基于集成电路的使用年龄和/或使用时间来更新存储在集成电路的存储器中的数据。 使用时间可以是以下之一或两者：自其最近启动以来晶体已经振荡多久，以及晶体在其使用寿命中多长时间。 电子设备可以基于来自温度传感器的温度指示和从集成电路的存储器读取的数据来计算晶体输出的振荡信号的频率。