公开(公告)号：US08470708B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12712515

申请日：2010-02-25

申请人： Po-Cheng Shih ,  Kuan-Chen Wang ,  Chung-Chi Ko ,  Keng-Chu Lin ,  Tai-Yen Peng ,  Wen-Kuo Hsieh ,  Chih-Hao Chen

发明人： Po-Cheng Shih ,  Kuan-Chen Wang ,  Chung-Chi Ko ,  Keng-Chu Lin ,  Tai-Yen Peng ,  Wen-Kuo Hsieh ,  Chih-Hao Chen

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76813

摘要： A method of lithography patterning includes forming a mask layer on a material layer and forming a capping layer on the mask layer. The capping layer is a boron-containing layer with a higher resistance to an etching reaction of patterning process of the material layer. By adapting the boron-containing layer as the capping layer, the thickness of the mask layer can be thus reduced. Hence, a better gap filling for forming an interconnect metallization in the material layer could be achieved as well.

摘要翻译： 光刻图案的方法包括在材料层上形成掩模层并在掩模层上形成覆盖层。 覆盖层是对材料层的图案化处理的蚀刻反应性更高的含硼层。 通过使含硼层适合作为覆盖层，可以减小掩模层的厚度。 因此，也可以实现用于在材料层中形成互连金属化的更好的间隙填充。

公开(公告)号：US20110207329A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12712515

申请日：2010-02-25

申请人： Po-Cheng SHIH ,  Kuan-Chen WANG ,  Chung-Chi KO ,  Keng-Chu LIN ,  Tai-Yen PENG ,  Wen-Kuo HSIEH ,  Chih-Hao CHEN

发明人： Po-Cheng SHIH ,  Kuan-Chen WANG ,  Chung-Chi KO ,  Keng-Chu LIN ,  Tai-Yen PENG ,  Wen-Kuo HSIEH ,  Chih-Hao CHEN

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76813

摘要： A method of lithography patterning includes forming a mask layer on a material layer and forming a capping layer on the mask layer. The capping layer is a boron-containing layer with a higher resistance to an etching reaction of patterning process of the material layer. By adapting the boron-containing layer as the capping layer, the thickness of the mask layer can be thus reduced. Hence, a better gap filling for forming an interconnect metallization in the material layer could be achieved as well.

摘要翻译： 光刻图案的方法包括在材料层上形成掩模层并在掩模层上形成覆盖层。 覆盖层是对材料层的图案化处理的蚀刻反应性更高的含硼层。 通过使含硼层适合作为覆盖层，可以减小掩模层的厚度。 因此，也可以实现用于在材料层中形成互连金属化的更好的间隙填充。