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    Semiconductor apparatus
    1.
    发明授权
    Semiconductor apparatus 失效
    半导体装置

    公开(公告)号：US07629669B2

    公开(公告)日：2009-12-08

    申请号：US11411096

    申请日：2006-04-26

    申请人： Koji Ishikawa ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu ,  Tamotsu Miyake ,  Mitsugu Kusunoki

    发明人： Koji Ishikawa ,  Kazutaka Mori ,  Hiroshige Kogayu ,  Tamotsu Miyake ,  Mitsugu Kusunoki

    IPC分类号： H01L27/102

    CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L27/0823 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor apparatus includes a first transistor having a first emitter electrode, a first base electrode, and a first collector electrode in a region over a first region. Base lead-out polysilicon connecting the first base electrode and a first base region passes over a second region provided out of the first region and a resistor element is added. A writing voltage is reduced in an antifuse using two bipolar transistors.

    摘要翻译： 半导体装置包括在第一区域的区域中具有第一发射极，第一基极和第一集电极的第一晶体管。 连接第一基极和第一基极区域的基极引出多晶硅通过在第一区域外提供的第二区域，并且添加电阻元件。 使用两个双极晶体管在反熔丝中减小写入电压。