公开(公告)号：US4246064A

公开(公告)日：1981-01-20

申请号：US54124

申请日：1979-07-02

申请人： Thomas J. Dewees ,  John S. Fangman ,  Wen Lin

发明人： Thomas J. Dewees ,  John S. Fangman ,  Wen Lin

IPC分类号： C30B15/12

CPC分类号： C30B15/12

摘要： The disclosure is directed to a double crucible Czochralski crystal semiconductor growing apparatus (10). An inner crucible (14) floats in a melt within an outer crucible (13) and a single crystal semiconductor billet (23) is pulled from the melt (16) in the inner crucible. An elongated tubular member (26), having at least one small aperture (33) in the wall thereof, provides a channel between the outer and inner crucibles. The tubular member (26) permits flow of the melt in the outer crucible (14) to the inner crucible (13) while inhibiting the diffusion of dopant material from the inner to outer crucible while any gas in the member will pass through the aperture (33).

摘要翻译： 本公开涉及一种双坩埚切克劳斯基晶体半导体生长装置（10）。 内坩埚（14）漂浮在外坩埚（13）内的熔体中，并且从内坩埚中的熔体（16）拉出单晶半导体坯料（23）。 在其壁中具有至少一个小孔（33）的细长管状构件（26）在外坩埚和内坩埚之间提供通道。 管状构件（26）允许外坩埚（14）中的熔体流动到内坩埚（13），同时阻止掺杂剂材料从内坩埚扩散到外坩埚，同时构件中的任何气体将通过孔（ 33）。

公开(公告)号：US4190631A

公开(公告)日：1980-02-26

申请号：US944454

申请日：1978-09-21

申请人： Thomas J. Dewees ,  John S. Fangman ,  Wen Lin

发明人： Thomas J. Dewees ,  John S. Fangman ,  Wen Lin

IPC分类号： C30B15/12 ,  B01J17/18

CPC分类号： C30B15/12 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/1052

摘要： The disclosure is directed to a double crucible Czochralski crystal semiconductor growing apparatus (10). An inner crucible (14) floats in a melt within an outer crucible (13) and a single crystal semiconductor billet (23) is pulled from the melt (16) in the inner crucible. An elongated tubular member (26), having at least one small aperture (33) in the wall thereof, provides a channel between the outer and inner crucibles. The tubular member (26) permits flow of the melt in the outer crucible (14) to the inner crucible (13) while inhibiting the diffusion of dopant material from the inner to outer crucible while any gas in the member will pass through the aperture (33).

摘要翻译： 本公开涉及一种双坩埚切克劳斯基晶体半导体生长装置（10）。 内坩埚（14）漂浮在外坩埚（13）内的熔体中，并且从内坩埚中的熔体（16）拉出单晶半导体坯料（23）。 在其壁中具有至少一个小孔（33）的细长管状构件（26）在外坩埚和内坩埚之间提供通道。 管状构件（26）允许外坩埚（14）中的熔体流动到内坩埚（13），同时阻止掺杂剂材料从内坩埚扩散到外坩埚，同时构件中的任何气体将通过孔（ 33）。