公开(公告)号：US20130171771A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13823247

申请日：2011-09-09

申请人： Tetsuo Fujita ,  Yukinobu Nakata ,  Tohru Daitoh

发明人： Tetsuo Fujita ,  Yukinobu Nakata ,  Tohru Daitoh

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66969 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A method for producing a semiconductor device according to the present invention includes a step of sputtering a target (100A). The target (100A) includes a plurality of target tiles (11A) located while having a gap therebetween; a backing plate (15A) for supporting the plurality of target tiles (11A); and a bonding member (17A) provided between the backing plate (15A) and the plurality of target tiles (11A). The plurality of target tiles (11A) each contain In, Ga and Zn. When the target (100A) is seen in a direction normal thereto from the side on which the plurality of target tiles (11A) are located, the plurality of target tiles (11A) are each smaller than an insulating substrate (1), and the bonding member (17A) cannot be seen through the gap.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件的制造方法包括溅射靶（100A）的步骤。 目标（100A）包括位于同时具有间隙的多个目标瓦片（11A） 用于支撑所述多个目标瓦片（11A）的背板（15A）; 以及设置在背板（15A）和多个目标瓦片（11A）之间的接合构件（17A）。 多个目标瓦片（11A）各自包含In，Ga和Zn。 当从多个目标瓦片（11A）所在的一侧沿与其垂直的方向看目标（100A）时，多个目标瓦片（11A）均小于绝缘基板（1），并且 接合部件（17A）不能通过间隙看到。

公开(公告)号：US08753921B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US13823247

申请日：2011-09-09

申请人： Tetsuo Fujita ,  Yukinobu Nakata ,  Tohru Daitoh

发明人： Tetsuo Fujita ,  Yukinobu Nakata ,  Tohru Daitoh

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16 ,  C23C14/00 ,  C25B11/00 ,  C25B13/00

CPC分类号： H01L29/66969 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A method for producing a semiconductor device according to the present invention includes a step of sputtering a target (100A). The target (100A) includes a plurality of target tiles (11A) located while having a gap therebetween; a backing plate (15A) for supporting the plurality of target tiles (11A); and a bonding member (17A) provided between the backing plate (15A) and the plurality of target tiles (11A). The plurality of target tiles (11A) each contain In, Ga and Zn. When the target (100A) is seen in a direction normal thereto from the side on which the plurality of target tiles (11A) are located, the plurality of target tiles (11A) are each smaller than an insulating substrate (1), and the bonding member (17A) cannot be seen through the gap.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件的制造方法包括溅射靶（100A）的步骤。 目标（100A）包括位于同时具有间隙的多个目标瓦片（11A） 用于支撑所述多个目标瓦片（11A）的背板（15A）; 以及设置在背板（15A）和多个目标瓦片（11A）之间的接合构件（17A）。 多个目标瓦片（11A）各自包含In，Ga和Zn。 当从多个目标瓦片（11A）所在的一侧沿着与其正交的方向看目标（100A）时，多个目标瓦片（11A）均小于绝缘基板（1），并且 接合部件（17A）不能通过间隙看到。