公开(公告)号：US20080258150A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12045561

申请日：2008-03-10

申请人： Lee S. McCarthy ,  Umesh K. Mishra ,  Felix Recht ,  Tomas Apostol Palacios Gutierrez

发明人： Lee S. McCarthy ,  Umesh K. Mishra ,  Felix Recht ,  Tomas Apostol Palacios Gutierrez

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L21/263

CPC分类号： H01L21/26546 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0095

摘要： Structures to reduce dopant activation temperatures for ion implantation in III-N transistors, using low aluminum content layers in proximity to the conducting channel, are disclosed. A method to increase the temperature at which structures can be annealed by annealing in an active nitrogen ambient, for example, in NH3 in a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber, is also disclosed.

摘要翻译： 公开了在导电通道附近使用低铝含量层来降低III-N晶体管中离子注入的掺杂剂活化温度的结构。 还公开了一种通过在有机氮化合物气氛中例如在有机化学气相沉积（MOCVD）室中的NH 3中进行退火来提高结构退火温度的方法。