公开(公告)号：US5155559A

公开(公告)日：1992-10-13

申请号：US735534

申请日：1991-07-25

申请人： Trevor P. Humphreys ,  Robert J. Nemanich ,  Kalyankumar Das ,  Dale G. Thompson, Jr. ,  Scott R. Sahaida

发明人： Trevor P. Humphreys ,  Robert J. Nemanich ,  Kalyankumar Das ,  Dale G. Thompson, Jr. ,  Scott R. Sahaida

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L29/1602 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/16 ,  H01L29/47

摘要： A semiconductor device comprising a semiconducting diamond layer, (e.g. single crystal or polycrystalline), a refractory metal silicide layer adjacent the diamond layer for forming a rectifying contact therewith, and an annealed interface region between the diamond layer and the refractory metal silicide layer. The annealed interface region is preferably a non-abrupt interface comprising material selected from the group consisting of silicon carbide, the carbide of the refractory metal and mixtures thereof. The present invention also provides a method for making a rectifying contact on a semiconducting diamond layer comprising the steps of forming a refractory metal silicide on the diamond layer, and annealing the refractory metal silicide and diamond layer. Preferably, the step of annealing comprises the step of heating the diamond layer and refractory metal silicide at temperature of at least about 450.degree. C.

摘要翻译： 包括半导体金刚石层（例如单晶或多晶），与金刚石层相邻的难熔金属硅化物层以形成与其整流接触的半导体器件以及金刚石层与难熔金属硅化物层之间的退火界面区域。 退火的界面区优选是非突变界面，其包括选自碳化硅，难熔金属的碳化物及其混合物的材料。 本发明还提供了一种在半导体金刚石层上制造整流接触的方法，包括在金刚石层上形成难熔金属硅化物，以及对难熔金属硅化物和金刚石层进行退火的步骤。 优选地，退火步骤包括在至少约450℃的温度下加热金刚石层和难熔金属硅化物的步骤。

公开(公告)号：US5212401A

公开(公告)日：1993-05-18

申请号：US735602

申请日：1991-07-25

申请人： Trevor P. Humphreys ,  Robert J. Nemanich ,  Kalyankumar Das

发明人： Trevor P. Humphreys ,  Robert J. Nemanich ,  Kalyankumar Das

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L29/1602 ,  H01L29/47

摘要： A rectifying contact for use at high temperatures including a monocrystalline semiconducting diamond layer on a substrate and a heteroepitaxial metal layer thereon. The metal layer has a lattice match with the diamond and is deposited on the diamond substantially in atomic registry therewith. The metal and diamond form a rectifying contact which has good mechanical adhesion and provides stable rectifying operation at elevated temperatures. The metal layer may be formed by deposition in an ultra-high vacuum. In alternate embodiments, the metal layer may be formed on a monocrystalline semiconducting diamond substrate or on at least one monocrystalline diamond area of a textured polycrystalline layer.

摘要翻译： 在高温下使用的整流接触件，包括衬底上的单晶半导体金刚石层和其上的异质外延金属层。 金属层与金刚石具有晶格匹配，并且基本上以原子对准的方式沉积在金刚石上。 金属和金刚石形成整流接触，其具有良好的机械粘附性并且在升高的温度下提供稳定的整流操作。 金属层可以通过在超高真空中沉积而形成。 在替代实施例中，金属层可以形成在单晶半导体金刚石衬底上或纹理化多晶层的至少一个单晶金刚石区域上。