公开(公告)号：US20110073994A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12995452

申请日：2009-05-26

申请人： Jin Liu ,  Aarnoud Laurens Roest ,  Freddy Roozeboom ,  Vahid Shabro

发明人： Jin Liu ,  Aarnoud Laurens Roest ,  Freddy Roozeboom ,  Vahid Shabro

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01G4/33 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： A method of fabricating a trench capacitor, and a trench capacitor fabricated thereby, are disclosed. The method involves the use of a vacuum impregnation process for a sol-gel film, to facilitate effective deposition of high-permittivity materials within a trench in a semiconductor substrate, to provide a trench capacitor having a high capacitance whilst being efficient in utilisation of semiconductor real estate.

摘要翻译： 公开了一种制造沟槽电容器的方法，以及由此制造的沟槽电容器。 该方法涉及使用用于溶胶 - 凝胶膜的真空浸渍方法，以促进高介电常数材料在半导体衬底的沟槽内的有效沉积，以提供具有高电容的沟槽电容器，同时有效地利用半导体 房地产。

公开(公告)号：US08486800B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12995452

申请日：2009-05-26

申请人： Jin Liu ,  Aarnoud Laurens Roest ,  Freddy Roozeboom ,  Vahid Shabro

发明人： Jin Liu ,  Aarnoud Laurens Roest ,  Freddy Roozeboom ,  Vahid Shabro

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01G4/33 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： A method of fabricating a trench capacitor, and a trench capacitor fabricated thereby, are disclosed. The method involves the use of a vacuum impregnation process for a sol-gel film, to facilitate effective deposition of high-permittivity materials within a trench in a semiconductor substrate, to provide a trench capacitor having a high capacitance while being efficient in utilization of semiconductor real estate.

摘要翻译： 公开了一种制造沟槽电容器的方法，以及由此制造的沟槽电容器。 该方法涉及使用真空浸渍方法用于溶胶 - 凝胶膜，以促进高介电常数材料在半导体衬底的沟槽内的有效沉积，以提供具有高电容的沟槽电容器，同时有效地利用半导体 房地产。