公开(公告)号：US07306673B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US10971315

申请日：2004-10-22

申请人： Michelle M. L. Fredholm ,  Jeffrey T. Kohli ,  Nicholas LeBlond ,  Alexandre M. Mayolet ,  Viktoria Pshenitsyna ,  Pawan Saxena ,  Paul M. Schermerhorn

发明人： Michelle M. L. Fredholm ,  Jeffrey T. Kohli ,  Nicholas LeBlond ,  Alexandre M. Mayolet ,  Viktoria Pshenitsyna ,  Pawan Saxena ,  Paul M. Schermerhorn

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/12

摘要： The invention is directed to a method for growing metal fluoride crystals suitable for use in below 200 nm optical lithography systems, the method comprising including at least the step of heating a crystal growth furnace to a temperature in the range of 1400-2000° C. to purify the furnace by removal of sulfur and chlorine prior to using the furnace for growing metal fluoride single crystals.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生长适用于200nm以下的光刻系统的金属氟化物晶体的方法，该方法至少包括将晶体生长炉加热到1400-2000℃的温度的步骤。 在使用炉子生长金属氟化物单晶之前，通过除去硫和氯来净化炉。

公开(公告)号：US20060037531A1

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：US10971315

申请日：2004-10-22

申请人： Michele Fredholm ,  Jeffrey Kohli ,  Nicholas LeBlond ,  Alexandre Mayolet ,  Viktoria Pshenitsyna ,  Pawan Saxena ,  Paul Schermerhorn

发明人： Michele Fredholm ,  Jeffrey Kohli ,  Nicholas LeBlond ,  Alexandre Mayolet ,  Viktoria Pshenitsyna ,  Pawan Saxena ,  Paul Schermerhorn

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B17/00 ,  C30B9/00 ,  C30B21/02 ,  C30B28/06

CPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/12

摘要： The invention is directed to a method for growing metal fluoride crystals suitable for use in below 200 nm optical lithography systems, the method comprising including at least the step of heating a crystal growth furnace to a temperature in the range of 1400-2000° C. to purify the furnace by removal of sulfur and chlorine prior to using the furnace for growing metal fluoride single crystals.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于生长适用于200nm以下的光刻系统的金属氟化物晶体的方法，该方法至少包括将晶体生长炉加热到1400-2000℃的温度的步骤。 在使用炉子生长金属氟化物单晶之前，通过除去硫和氯来净化炉。