公开(公告)号：US3651384A

公开(公告)日：1972-03-21

申请号：US3651384D

申请日：1971-03-08

申请人： WARREN P WATERS ,  BYRON K LOVELACE

发明人： WATERS WARREN P ,  LOVELACE BYRON K

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L29/00 ,  H01L9/00

CPC分类号： H01L23/4824 ,  H01L29/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： There is disclosed a high-frequency metal semiconductor junction diode which comprises two layers of insulating material having different etching characteristics so that

摘要翻译： 公开了一种高频金属半导体结二极管，其包括具有不同蚀刻特性的两层绝缘材料，从而可以在氧化物中形成非常小的开口; 金属膜连接到所述小暴露区域以限定二极管结构