公开(公告)号：US07309632B1

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US11735440

申请日：2007-04-14

申请人： Wei-Bo Lu ,  Dah-Chuan Chen

发明人： Wei-Bo Lu ,  Dah-Chuan Chen

IPC分类号： H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11521

摘要： A method of fabricating a nonvolatile memory cell includes providing a substrate with a trench, with a sidewall where a tunnel oxide layer and a floating gate are successively formed, forming a control gate in the trench, performing a high density plasma deposition process to form an HDP oxide layer on the top surface of control gate.

摘要翻译： 一种制造非易失性存储单元的方法包括提供具有沟槽的衬底，其中连续形成隧道氧化物层和浮栅的侧壁，在沟槽中形成控制栅极，执行高密度等离子体沉积工艺以形成 HDP氧化层在控制门的顶面。