公开(公告)号：US08062964B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12853232

申请日：2010-08-09

申请人： Wen-Fa Tsai ,  Jyong-Fong Liao ,  Yen-Yu Chen ,  Chee Wee Liu ,  Chi-Fong Ai

发明人： Wen-Fa Tsai ,  Jyong-Fong Liao ,  Yen-Yu Chen ,  Chee Wee Liu ,  Chi-Fong Ai

IPC分类号： H01L21/26

CPC分类号： H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： The present disclosure passivates solar cell defects. Plasma immersion ion implantation (PIII) is used to repair the defects during or after making the solar cell. Hydrogen ion is implanted into absorption layer with different sums of energy to fill gaps of defects or surface recombination centers. Thus, solar cell defects are diminished and carriers are transferred with improved photovoltaic conversion efficiency.

摘要翻译： 本公开钝化太阳能电池缺陷。 在制造太阳能电池期间或之后，使用等离子体浸没离子注入（PIII）来修复缺陷。 将氢离子注入到具有不同的能量之和的吸收层中以填充缺陷或表面复合中心的间隙。 因此，太阳能电池缺陷减少，并且载流子随着光伏转换效率的提高而被转移。

公开(公告)号：US20110053351A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12853232

申请日：2010-08-09

申请人： Wen-Fa Tsai ,  Jyong-Fong Liao ,  Yen-Yu Chen ,  Chee Wee Liu ,  Chi-Fong Ai

发明人： Wen-Fa Tsai ,  Jyong-Fong Liao ,  Yen-Yu Chen ,  Chee Wee Liu ,  Chi-Fong Ai

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： The present disclosure passivates solar cell defects. Plasma immersion ion implantation (PIII) is used to repair the defects during or after making the solar cell. Hydrogen ion is implanted into absorption layer with different sums of energy to fill gaps of defects or surface recombination centers. Thus, solar cell defects are diminished and carriers are transferred with improved photovoltaic conversion efficiency.

摘要翻译： 本公开钝化太阳能电池缺陷。 在制造太阳能电池期间或之后，使用等离子体浸没离子注入（PIII）来修复缺陷。 将氢离子注入到具有不同的能量之和的吸收层中以填充缺陷或表面复合中心的间隙。 因此，太阳能电池缺陷减少，并且载流子随着光伏转换效率的提高而被转移。