公开(公告)号：US20110182111A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13082605

申请日：2011-04-08

申请人： Min-Sang Kim ,  Ji-Myoung Lee ,  Hyun-Jun Bae ,  Dong-Won Kim ,  Jun Seo ,  Weonwi Jang ,  Keun-Hwi Cho

发明人： Min-Sang Kim ,  Ji-Myoung Lee ,  Hyun-Jun Bae ,  Dong-Won Kim ,  Jun Seo ,  Weonwi Jang ,  Keun-Hwi Cho

IPC分类号： G11C11/24 ,  G11C11/50

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/10894

摘要： A memory device includes a storage node, a first electrode, and a second electrode formed in a memory cell, the storage node stores electrical charges, the first electrode comprising a first portion electrically connected to a second portion, the first portion moves to connect to the storage node when the second electrode is energized.

摘要翻译： 存储装置包括存储节点，第一电极和形成在存储单元中的第二电极，所述存储节点存储电荷，所述第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，所述第一部分移动以连接到 当第二电极通电时的存储节点。

公开(公告)号：US08270211B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US13082605

申请日：2011-04-08

申请人： Min-Sang Kim ,  Ji-Myoung Lee ,  Hyun-Jun Bae ,  Dong-Won Kim ,  Jun Seo ,  Weonwi Jang ,  Keun-Hwi Cho

发明人： Min-Sang Kim ,  Ji-Myoung Lee ,  Hyun-Jun Bae ,  Dong-Won Kim ,  Jun Seo ,  Weonwi Jang ,  Keun-Hwi Cho

IPC分类号： G11C11/50

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/10894

摘要： A memory device includes a storage node, a first electrode, and a second electrode formed in a memory cell, the storage node stores electrical charges, the first electrode comprising a first portion electrically connected to a second portion, the first portion moves to connect to the storage node when the second electrode is energized.

摘要翻译： 存储装置包括存储节点，第一电极和形成在存储单元中的第二电极，所述存储节点存储电荷，所述第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，所述第一部分移动以连接到 当第二电极通电时的存储节点。

公开(公告)号：US07929341B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12392780

申请日：2009-02-25

申请人： Min-Sang Kim ,  Ji-Myoung Lee ,  Hyun-Jun Bae ,  Dong-Won Kim ,  Jun Seo ,  Weonwi Jang ,  Keun-Hwi Cho

发明人： Min-Sang Kim ,  Ji-Myoung Lee ,  Hyun-Jun Bae ,  Dong-Won Kim ,  Jun Seo ,  Weonwi Jang ,  Keun-Hwi Cho

IPC分类号： G11C11/50

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/10894

摘要： A memory device includes a storage node, a first electrode, and a second electrode formed in a memory cell, the storage node stores electrical charges, the first electrode comprising a first portion electrically connected to a second portion, the first portion moves to connect to the storage node when the second electrode is energized.

摘要翻译： 存储装置包括存储节点，第一电极和形成在存储单元中的第二电极，所述存储节点存储电荷，所述第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，所述第一部分移动以连接到 当第二电极通电时的存储节点。

公开(公告)号：US20090237980A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12392780

申请日：2009-02-25

申请人： Min-Sang KIM ,  Ji-Myoung LEE ,  Hyun-Jun BAE ,  Dong-Won KIM ,  Jun SEO ,  Weonwi JANG ,  Keun-Hwi CHO

发明人： Min-Sang KIM ,  Ji-Myoung LEE ,  Hyun-Jun BAE ,  Dong-Won KIM ,  Jun SEO ,  Weonwi JANG ,  Keun-Hwi CHO

IPC分类号： G11C11/24 ,  G11C11/00 ,  G11C11/416

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L27/10894

摘要： A memory device includes a storage node, a first electrode, and a second electrode formed in a memory cell, the storage node stores electrical charges, the first electrode comprising a first portion electrically connected to a second portion, the first portion moves to connect to the storage node when the second electrode is energized.

摘要翻译： 存储装置包括存储节点，第一电极和形成在存储单元中的第二电极，所述存储节点存储电荷，所述第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，所述第一部分移动以连接到 当第二电极通电时的存储节点。