公开(公告)号：US20060250843A1

公开(公告)日：2006-11-09

申请号：US11280599

申请日：2005-11-15

申请人： Claude Bertin ,  Frank Guo ,  Thomas Rueckes ,  Steven Konsek ,  Mitchell Meinhold ,  Max Strasburg ,  Ramesh Sivarajan ,  X.M. Huang

发明人： Claude Bertin ,  Frank Guo ,  Thomas Rueckes ,  Steven Konsek ,  Mitchell Meinhold ,  Max Strasburg ,  Ramesh Sivarajan ,  X.M. Huang

IPC分类号： G11C14/00

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0033 ,  G11C14/00 ,  Y10S977/943

摘要： A non-volatile memory cell includes a volatile storage device that stores a corresponding logic state in response to electrical stimulus; and a shadow memory device coupled to the volatile storage device. The shadow memory device receives and stores the corresponding logic state in response to electrical stimulus. The shadow memory device includes a non-volatile nanotube switch that stores the corresponding state of the shadow device.

摘要翻译： 非易失性存储单元包括：易失性存储装置，其响应于电刺激而存储对应的逻辑状态; 以及耦合到所述易失性存储装置的影子存储装置。 影子存储装置响应于电刺激而接收和存储对应的逻辑状态。 影子存储装置包括存储影子装置的相应状态的非易失性纳米管开关。