公开(公告)号：US07276440B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US10734423

申请日：2003-12-12

申请人： Fan Zhang ,  Bei Chao Zhang ,  Wuping Liu ,  Kho Liep Chok ,  Liang Choo Hsia ,  Tae Jong Lee ,  Juan Boon Tan ,  Xian Bin Wang

发明人： Fan Zhang ,  Bei Chao Zhang ,  Wuping Liu ,  Kho Liep Chok ,  Liang Choo Hsia ,  Tae Jong Lee ,  Juan Boon Tan ,  Xian Bin Wang

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L23/3178 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： In accordance with the objectives of the invention a new design and method for the implementation thereof is provided in the form of an “oxide ring”. A conventional die is provided with a guard ring or sealing ring, which surrounds and isolates the active surface area of an individual semiconductor die. The “oxide ring” of the invention surrounds the guard ring or sealing ring and forms in this manner a mechanical stress release buffer between the sawing paths of the die and the active surface area of the singulated individual semiconductor die.

摘要翻译： 根据本发明的目的，以“氧化物环”的形式提供了一种用于实施本发明的新设计和方法。 传统的模具设置有保护环或密封环，其围绕并隔离单个半导体管芯的有源表面积。 本发明的“氧化物环”围绕保护环或密封环，并以这种方式形成在管芯的锯切路径和单个化的半导体管芯的有源表面区域之间的机械应力释放缓冲器。

公开(公告)号：US06569770B2

公开(公告)日：2003-05-27

申请号：US09893080

申请日：2001-06-28

申请人： Xian Bin Wang ,  Yi Xu ,  Subramanian Balakumar ,  Cuiyang Wang

发明人： Xian Bin Wang ,  Yi Xu ,  Subramanian Balakumar ,  Cuiyang Wang

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/3212

摘要： A new method to prevent oxide erosion in a metal plug process by employing a silicon nitride layer over the oxide is described. An oxide layer is deposited overlying a semiconductor substrate. A silicon nitride layer is deposited overlying the oxide layer. An opening is etched through the silicon nitride layer and into the oxide layer. A barrier metal layer is deposited overlying the silicon nitride layer and into the opening. A metal layer is deposited overlying the barrier metal layer. The metal layer and barrier metal layer are polished away using chemical mechanical polishing (CMP) with a polish stop at the silicon nitride layer. The metal layer forms a metal plug. The silicon nitride layer prevents erosion of the oxide layer during the polishing step to complete formation of a metal plug in the fabrication of an integrated circuit device.

摘要翻译： 描述了通过在氧化物上使用氮化硅层来防止金属塞过程中的氧化物侵蚀的新方法。 沉积在半导体衬底上的氧化物层。 沉积氮化硅层覆盖在氧化物层上。 通过氮化硅层蚀刻开口并进入氧化物层。 在氮化硅层上沉积阻挡金属层并进入开口。 沉积在阻挡金属层上的金属层。 使用化学机械抛光（CMP）在氮化硅层上抛光停止来抛光金属层和阻挡金属层。 金属层形成金属塞。 氮化硅层在抛光步骤期间防止氧化物层的侵蚀，以在集成电路器件的制造中完成金属插塞的形成。

公开(公告)号：US06649486B1

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US09679510

申请日：2000-10-06

申请人： Subramanian Balakumar ,  Kong Hean Lee ,  Zheng Zhou ,  Xian Bin Wang

发明人： Subramanian Balakumar ,  Kong Hean Lee ,  Zheng Zhou ,  Xian Bin Wang

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/76229

摘要： A new method of fabricating shallow trench isolations has been achieved. A pad oxide layer is formed overlying a semiconductor substrate. A silicon nitride layer is deposited overlying the pad oxide layer. A protective layer is deposited overlying the silicon nitride layer. The protective layer, the silicon nitride layer, and the pad oxide layer are patterned to expose the semiconductor substrate where shallow trench isolations are planned. The semiconductor substrate is etched to form trenches for the planned shallow trench isolations. A large trench etching angle is used. The presence of the protective layer prevents loss of the silicon nitride layer during the etching. A trench filling layer is deposited overlying the protective layer and filling the trenches. The trench filling layer and the protective layer are polished down to complete the shallow trench isolations in the manufacture of the integrated circuit device.

摘要翻译： 已经实现了制造浅沟槽隔离的新方法。 在半导体衬底上形成焊盘氧化物层。 在衬垫氧化物层上沉积氮化硅层。 覆盖氮化硅层的保护层被沉积。 对保护层，氮化硅层和焊盘氧化物层进行图案化以暴露其中规划浅沟槽隔离的半导体衬底。 蚀刻半导体衬底以形成用于规划的浅沟槽隔离的沟槽。 使用大的沟槽蚀刻角度。 保护层的存在防止在蚀刻期间氮化硅层的损失。 沉积沟槽填充层，覆盖保护层并填充沟槽。 在集成电路器件的制造中，沟槽填充层和保护层被抛光以完成浅沟槽隔离。