公开(公告)号：US07294934B2

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US10301957

申请日：2002-11-21

申请人： Grant M. Kloster ,  Xiarong Morrow ,  Jihperng Leu

发明人： Grant M. Kloster ,  Xiarong Morrow ,  Jihperng Leu

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A low-k dielectric sacrificial material is formed within a microelectronic structure covered with a suitable porous or low density permeable material. At an appropriate time, the underlying sacrificial material is decomposed and diffused away through the overlying permeable material. As a result, at least one void is created, contributing to desirable dielectric characteristics.

摘要翻译： 在由适当的多孔或低密度可渗透材料覆盖的微电子结构内形成低k电介质牺牲材料。 在适当的时间，潜在的牺牲材料通过上覆的可渗透材料分解和扩散。 结果，产生至少一个空隙，有助于所需的介电特性。

公开(公告)号：US20050272248A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11185190

申请日：2005-07-19

申请人： Grant M. Kloster ,  Xiarong Morrow ,  Jihperng Leu

发明人： Grant M. Kloster ,  Xiarong Morrow ,  Jihperng Leu

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A low-k dielectric sacrificial material is formed within a microelectronic structure covered with a suitable porous or low density permeable material. At an appropriate time, the underlying sacrificial material is decomposed and diffused away through the overlying permeable material. As a result, at least one void is created, contributing to desirable dielectric characteristics.

摘要翻译： 在由适当的多孔或低密度可渗透材料覆盖的微电子结构内形成低k电介质牺牲材料。 在适当的时间，潜在的牺牲材料通过上覆的可渗透材料分解和扩散。 结果，产生至少一个空隙，有助于所需的介电特性。