公开(公告)号：US6114193A

公开(公告)日：2000-09-05

申请号：US72584

申请日：1998-05-05

申请人： Yen Hui Chang ,  Kuo Wei Chiang

发明人： Yen Hui Chang ,  Kuo Wei Chiang

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L29/66136 ,  H01L29/861

摘要： A method for preventing the snap down effect in a power rectifier with higher breakdown voltage comprises the step of forming an isolation layer between the semiconductor substrate and the epitaxy layer. The isolation layer can prevent the dislocation occurred upon the semiconductor substrate from influencing the p-n junction atop. Therefore, the power rectifier manufactured by the method of the present invention can work under a higher breakdown voltage exceeding 450 V with reduced cost.

摘要翻译： 一种用于防止具有较高击穿电压的功率整流器中的骤降效应的方法包括在半导体衬底和外延层之间形成隔离层的步骤。 隔离层可以防止在半导体衬底上发生的位错影响顶部的p-n结。 因此，通过本发明的方法制造的功率整流器可以在更高的击穿电压下工作，降低成本。